Silego推出业界首颗p通道MOSFE替代产品集成负载开关

　　2013年10月15日，Silego公司的电源族又推出了纳安级功耗负载开关系列。此系列推出了两款产品：支持6A负载电流的SLG59M1470V和支持2A负载电流的SLG59M1460V。

Silego公司专有的亚微米铜装FET技术支持以1 x 1 mm标准塑封的业界最小，功能最全的高效率电源开关

　　纳安级功耗能源负载开关支持低至9.5 μs内快速电源切换。此快速切换特点允许任意系统当电源关闭时提供电源分离。有效模式下启动SLG59M1470V仅消耗35 nA 休眠模式下的极低功耗以及有效模式下的低Rds(ON)

导通电阻性能大大提高了电池寿命。

Silego公司营销部主管Jay Li 说到，手机系统设计人员要求负载开关同时具备三个参数：快速启动，低Rds(ON)导通电阻以及低能耗。目前的P通道MOSFET解决方案虽然启动速度能耗低，但是电源低于2.5V时导通电阻高。我们的納安級功耗能源负载开关是业界首颗具备了此三样关键手机性能参数的集成负载开关。此款器件现广泛应用到新一代手机器件包括平板电脑，笔记本以及智能手机中。

　　SLG59M1470V以9 pin, 1.5 x 2.0 mm STDFN封装。此器件可切换1.0V以下电源。SLG59M1470V的导通电阻在7.4 mΩ.。

　　SLG59M1460V以8 pin, 1.0 x 1.6 mm STDFN封装。此器件可切换1.0V电源。SLG59M1460V的导通电阻在21.3 mΩ。

　　目标应用:

　　· 平板电脑
　　· 智能手机
　　· 笔记本电脑
　　· 任一频繁切换叫醒与休眠循环的系统Any system requiring frequent wake & sleep cycle