新闻中心

EEPW首页>嵌入式系统>设计应用> STM32 外部 SRAM

STM32 外部 SRAM

作者： 时间：2016-11-11 来源：网络 收藏
STM32F103ZET6自带了64K字节的SRAM，对一般应用来说，已经足够了，不过在一些对内存要求高的场合，STM32自带的这些内存就不够用了。比如跑算法或者跑GUI等，就可能不太够用

IS62WV51216简介

本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/201611/317049.htm

IS62WV51216是ISSI（IntegratedSiliconSolution,Inc）公司生产的一颗16位宽512K（512*16，即1M字节）容量的CMOS静态内存芯片。该芯片具有如下几个特点：

l高速。具有45ns/55ns访问速度。

l低功耗。

lTTL电平兼容。

l全静态操作。不需要刷新和时钟电路。

l三态输出。

l字节控制功能。支持高/低字节控制。

看看实现IS62WV51216的访问，需要对FSMC进行哪些配置。这里就做一个概括性的讲解。步骤如下：

1）使能FSMC时钟，并配置FSMC相关的IO及其时钟使能。

要使用FSMC，当然首先得开启其时钟。然后需要把FSMC_D0~15，FSMCA0~18等相关IO口，全部配置为复用输出，并使能各IO组的时钟。

使能FSMC时钟的方法：

RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);

对于其他IO口设置的方法前面讲解很详细，这里不做过多的讲解。

2）设置FSMCBANK1区域3。

此部分包括设置区域3的存储器的工作模式、位宽和读写时序等。我们使用模式A、16位宽，读写共用一个时序寄存器。使用的函数是：

voidFSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef*FSMC_NORSRAMInitStruct)

3）使能BANK1区域3。

使能BANK的方法跟前面LCD实验也是一样的，这里也不做详细讲解，函数是：

voidFSMC_NORSRAMCmd(uint32_tFSMC_Bank,FunctionalStateNewState)；

通过以上几个步骤，我们就完成了FSMC的配置，可以访问IS62WV51216了，这里还需要注意，因为我们使用的是BANK1的区域3，所以HADDR[27:26]=10，故外部内存的首地址为0X68000000。

  1. //使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10
  2. //对IS61LV25616/IS62WV25616,地址线范围为A0~A17
  3. //对IS61LV51216/IS62WV51216,地址线范围为A0~A18
  4. #defineBank1_SRAM3_ADDR((u32)(0x68000000))
  6. //初始化外部SRAM
  7. voidFSMC_SRAM_Init(void)
  8. {
  9. FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;
  10. FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readWriteTiming;
  11. GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;
  13. RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);
  14. RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
  16. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xFF33; //PORTD复用推挽输出
  17. GPIO_InitStructure.GPIO_Mode=GPIO_Mode_AF_PP;//复用推挽输出
  18. GPIO_InitStructure.GPIO_Speed=GPIO_Speed_50MHz;
  19. GPIO_Init(GPIOD,&GPIO_InitStructure);
  22. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xFF83; //PORTE复用推挽输出
  23. GPIO_Init(GPIOE,&GPIO_InitStructure);
  25. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xF03F; //PORTD复用推挽输出
  26. GPIO_Init(GPIOF,&GPIO_InitStructure);
  28. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0x043F; //PORTD复用推挽输出
  29. GPIO_Init(GPIOG,&GPIO_InitStructure);
  32. readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime=0x00;//地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK 1/36M=27ns
  33. readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime=0x00;//地址保持时间（ADDHLD）模式A未用到
  34. readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime=0x03;//数据保持时间（DATAST）为3个HCLK 4/72M=55ns(对EM的SRAM芯片)
  35. readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration=0x00;
  36. readWriteTiming.FSMC_CLKDivision=0x00;
  37. readWriteTiming.FSMC_DataLatency=0x00;
  38. readWriteTiming.FSMC_AccessMode=FSMC_AccessMode_A;//模式A
  42. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank=FSMC_Bank1_NORSRAM3;// 这里我们使用NE3 ，也就对应BTCR[4],[5]。
  43. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux=FSMC_DataAddressMux_Disable;
  44. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType=FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM; //SRAM
  45. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth=FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为16bit
  46. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode=FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
  47. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity=FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
  48. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
  49. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode=FSMC_WrapMode_Disable;
  50. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive=FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
  51. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation=FSMC_WriteOperation_Enable;//存储器写使能
  52. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal=FSMC_WaitSignal_Disable;
  53. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode=FSMC_ExtendedMode_Disable;// 读写使用相同的时序
  54. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst=FSMC_WriteBurst_Disable;
  55. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct=&readWriteTiming;
  56. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct=&readWriteTiming;//读写同样时序
  58. FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);//初始化FSMC配置
  60. FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3,ENABLE);// 使能BANK3
  62. }
  64. //在指定地址开始,连续写入n个字节.
  65. //pBuffer:字节指针
  66. //WriteAddr:要写入的地址
  67. //n:要写入的字节数
  68. voidFSMC_SRAM_WriteBuffer(u8*pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
  69. {
  70. for(;n!=0;n--)
  71. {
  72. *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;
  73. WriteAddr+=2;//这里需要加2，是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
  74. pBuffer++;
  75. }
  76. }
  77. //在指定地址开始,连续读出n个字节.
  78. //pBuffer:字节指针
  79. //ReadAddr:要读出的起始地址
  80. //n:要写入的字节数
  81. voidFSMC_SRAM_ReadBuffer(u8*pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
  82. {
  83. for(;n!=0;n--)
  84. {
  85. *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);
  86. ReadAddr+=2;//这里需要加2，是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
  87. }
  88. }
  89. ////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
  90. //测试函数
  91. //在指定地址写入1个字节
  92. //addr:地址
  93. //data:要写入的数据
  94. voidfsmc_sram_test_write(u8data,u32 addr)
  95. {
  96. FSMC_SRAM_WriteBuffer(&data,addr,1);//写入1个字节
  97. }
  98. //读取1个字节
  99. //addr:要读取的地址
  100. //返回值:读取到的数据
  101. u8 fsmc_sram_test_read(u32 addr)
  102. {
  103. u8data;
  104. FSMC_SRAM_ReadBuffer(&data,addr,1);
  105. returndata;
  106. }

关键词：STM32外部SRA

评论


相关推荐

技术专区

关闭