S3C2410X的NAND flash启动

这里，笔者参考了引导装入程序(Bootloader)的方式，把代码分成两部分，第一部分作为引导代码，包括ARM所要求的连续8个字的中断向量表。它主要负责把NAND flash中的程序代码复制到SDRAM中，其代码远小于4KB。第二部分是应用程序。调试时可分别单独调试，互不影响。调试完成后，分别烧写，引导代码的RO_Base设置为0x0，烧写到NANDflash的第0块。第二部分应用程序的RO_Base设置为0x3000,0000，烧写到NAND flash第一块开始的地址空间。上电复位时，引导代码由硬件逻辑复制到片内SRAM中，于是，ARM所要求的连续8个字的中断向量表就位于0x0地址开始的连续空间内。接着从第一条指令开始执行，除了一些必要的初始化以及设置中断向量表，它把NAND flash中第一块开始的程序代码复制到起始地址为0x3000,0000的SDRAM中。地址0x3000,0000既是RO_Base的地址，也是SDRAM在整个地址空间的起始地址。复制完成后，引导代码也该结束退出了，退出之前需调整PC指针，为了简单起见，把PC指针直接调整到地址0x3000,0000，即从应用程序的启动代码开始执行。需要注意的是，引导代码把中断向量表复制到SDRAM中_ISR_StartAddress处即地址0x30ffffff，而应用程序的启动代码也把中断向量表复制到SDRAM中同一地址_ISR_StartAddress处。这样，当异常发生时，PC指针首先跳到地址0x0开始8个字的异常向量
表，这是在片内SRAM的引导代码里。接着，跳到SDRAM中的中断向量表，这是在应用程序里，然后转到中断处理程序，PC指针的跳转跨越了两部分程序。引导代码和应用程序在存储空间和NAND flash的分布情况如图所示。实现复制和PC指针调整的代码如下 ：

IMPORT nand_read_ll ；引入外部C函数
ldr r0, =SDRAM_Base_Address ；r0指向SDRAM的基地址，即地址0x3000,0000
mov r1, =APP_Start_ Address ；r1指向NAND_flash中应用程序的开始地址；即第1块的开始地址
mov r2, =APP_End_ Address ；r2指向NAND_flash中应用程序的结束地址
bl nand_read_ll ；调用复制函数开始复制
ldr r12, =SDRAM_Base_Address
mov pc, r12 ；pc指向SDRAM的基地址；引导代码到此结束，接着从应用程序启动代码的第一条语句开始执行。
同样道理，NOR flash启动也可以采用这种方式，不同的是，引导代码在NOR flash中，它把NOR flash中的程序代码复制到SDRAM中，然后，也是跳到SDRAM中开始执行。