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S5PV210(TQ210)学习笔记——内存配置(DDR2)

作者: 时间:2016-11-28 来源:网络 收藏
S5PV210有两个独立的DRAM控制器,分别是DMC0和DMC1,其中,DMC0最大支持512MByte,DMC1最大支持1GByte,而DMC0和DMC1又同时支持两个片选CS0和CS1。S5PV210的内存模块相比2440和6410来讲要更加复杂一些,要想正确的配置S5PV210的内存,应该仔细阅读芯片手册相关部分,在配置参数时也应该适当的阅读下内存芯片的手册。这部分的寄存器和配置过程比较复杂(但是不难),我只简单的讲一下我配置时遇到的问题。

一 接线原理

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/201611/322804.htm

我的开发板是TQ210,开发板上有8片128M*8bits的内存芯片,从原理图上可以看到,其中4片并联接在DMC0上,另外四片并联在DMC1上,这里我只贴出一个链接方式,因为8片都是一样的,只是前四片跟后四片挂载的位置不同。

我们可以注意到,TQ210是将四片K4T1G084QQ的地址线并联,将数据线串联,这样正好是32位数据。另外,我们还可以看到K4T1G084QQ只接了14根地址线,这是因为K4T1G084QQ有14根行地址,10根列地址,这14根线是复用的。但是K4T1G084QQ有8个bank,而DMC只有两根bank线,为此,S5PV210给出了以下几个解决方案:

根据注释3,我们可以看到当S5PV210挂载8bank内存时CS1复用为BANK2,这中状态下S5PV210相当于只有一根片选引脚CS0,这样就可以理解了,我们从这里也可以知道配置num_chip参数时可以设置为1(经测试设置为2也可以,不过MEMCONFIG1的配置没有意思,因为8bank时只有CS0而没有CS1)。对于8banks且15根行地址的内存芯片也有一套解决方案,所以,一定要注意下面的注释,我当时配置时阅读手册就不够仔细,没有看下面的注释,结果卡了我一上午,没有弄明白内存芯片的接线原理,甚至认为开发板接线接错了。

二 地址映射

S5PV210的DMC跟6410和2440的DMC有个重要区别,S5PV210可以控制内存地址映射,DMC0的地址空间为0x2000,0000~0x3fff,ffff,DMC1的地址空间为0x4000,0000~0x7fff,ffff,DMC可以通过配置寄存器来使内存芯片映射到其内存段内的适当位置。这个配置在MEMCONFIG寄存器中,这个地址映射让我纠结了很长一段时间,最后还是查资料看明白的。

如果设置chip_base为0x20:

(1)我们挂载的内存为128M,那么这个chip_mask应该设置为0xF8

(2)我们挂载256M内存时,chip_mask应该设置为0xF0

(3)我们挂载512M时,chip_mask应该设置为0xE0

(4)我们挂载1GB内存时,chip_mask就应该设置为0xC0。

以DMC0为例,当DMC0接收到来自AXI的0x2000,0000~0x3fff,ffff内的地址时,会作如下处理:

(1)将AXI地址的高8位与chip_mask相与得到结果,记为X。

(2)将X分别与MEMCONFIG0和MEMCONFIG1的chip_base相比较,如果相等,则打开相应的片选。

假如挂载的内存为128M,且CS0和CS1上分别挂了一片,那么128M=128*1024*1024=0x8000000,则128M内存的偏移范围应该是0x0000,0000~0x07ff,ffff,高位剩余5位,那么,我们把MEMCONFIG0的chip_base设置为0x20,chip_mask设置为0xF8,为了保持内存连续,则需要将MEMCONFIG1的chip_base设置为0x28,chip_mask设置为0xF8,当AXI发来的地址为0x23xx,xxxx时,0x23&0xF8得到0x20,所以,会打开片选CS0,当AXI发来的地址为0x28xx,xxxx时,0x28&0xF8得到0x28,所以,会打开片选CS1,依此类推。

特别的,当载在的内存芯片为8bank(8bank内存芯片一般为14/15行地址,10列地址,即容量一般为512M或者1G)时,由于CS1为bank2引脚,为了保持CS0时钟处于片选状态,对于512M内存来讲需要将chip_mask设置为0xE0,这是因为512M=512*1024*1024=0x2000,0000,也就是说,512M内存的偏移应该为0x0000,0000~0x1fff,ffff,所以高位剩余3位,即0xE0,当然了,如果内存为1G=1024*1024*1024=0x4000,0000,即偏移为0x0000,0000~0x3fff,ffff,高位剩余2为,故设置chip_mask为0xC0。这样,就会计算偏移这两个值了。

三 配置流程

内存芯片的配置比较复杂,好在芯片手册上给出了常用内存类型的初始化序列,TQ210的内存是DDR2的,可以按照如下顺序进行初始化:

  1. 1.Toprovidestablepowerforcontrollerandmemorydevice,thecontrollermustassertandholdCKEtoalogiclowlevel.Thenapplystableclock.Note:XDDR2SELshouldbeHighleveltoholdCKEtolow.
  2. 2.SetthePhyControl0.ctrl_start_pointandPhyControl0.ctrl_incbit-fieldstocorrectvalueaccordingtoclockfrequency.SetthePhyControl0.ctrl_dll_onbit-fieldto‘1’toturnonthePHYDLL.
  3. 3.DQSCleaning:SetthePhyControl1.ctrl_shiftcandPhyControl1.ctrl_offsetcbit-fieldstocorrectvalueaccordingtoclockfrequencyandmemorytACparameters.
  4. 4.SetthePhyControl0.ctrl_startbit-fieldto‘1’.
  5. 5.SettheConControl.Atthismoment,anautorefreshcountershouldbeoff.
  6. 6.SettheMemControl.Atthismoment,allpowerdownmodesshouldbeoff.
  7. 7.SettheMemConfig0register.Iftherearetwoexternalmemorychips,settheMemConfig1register.
  8. 8.SetthePrechConfigandPwrdnConfigregisters.
  9. 9.SettheTimingAref,TimingRow,TimingDataandTimingPowerregistersaccordingtomemoryACparameters.
  10. 10.IfQoSschemeisrequired,settheQosControl0~15andQosConfig0~15registers.
  11. 11.WaitforthePhyStatus0.ctrl_lockedbit-fieldstochangeto‘1’.CheckwhetherPHYDLLislocked.
  12. 12.PHYDLLcompensatesthechangesofdelayamountcausedbyProcess,VoltageandTemperature(PVT)variationduringmemoryoperation.Therefore,PHYDLLshouldnotbeoffforreliableoperation.Itcanbeoffexceptrunsatlowfrequency.Ifoffmodeisused,setthePhyControl0.ctrl_forcebit-fieldtocorrectvalueaccordingtothePhyStatus0.ctrl_lock_value[9:2]bit-fieldtofixdelayamount.ClearthePhyControl0.ctrl_dll_onbit-fieldtoturnoffPHYDLL.
  13. 13.Confirmwhetherstableclockisissuedminimum200usafterpoweron
  14. 14.IssueaNOPcommandusingtheDirectCmdregistertoassertandtoholdCKEtoalogichighlevel
  15. 15.Waitforminimum400ns.
  16. 16.IssueaPALLcommandusingtheDirectCmdregister.
  17. 17.IssueanEMRS2commandusingtheDirectCmdregistertoprogramtheoperatingparameters.
  18. 18.IssueanEMRS3commandusingtheDirectCmdregistertoprogramtheoperatingparameters.
  19. 19.IssueanEMRScommandusingtheDirectCmdregistertoenablethememoryDLLs.
  20. 20.IssueaMRScommandusingtheDirectCmdregistertoresetthememoryDLL.
  21. 21.IssueaPALLcommandusingtheDirectCmdregister.
  22. 22.IssuetwoAutoRefreshcommandsusingtheDirectCmdregister.
  23. 23.IssueaMRScommandusingtheDirectCmdregistertoprogramtheoperatingparameterswithoutresettingthememoryDLL.
  24. 24.Waitforminimum200clockcycles.
  25. 25.IssueanEMRScommandusingtheDirectCmdregistertoprogramtheoperatingparameters.IfOCDcalibrationisnotused,issueanEMRScommandtosetOCDCalibrationDefault.Afterthat,issueanEMRScommandtoexitOCDCalibrationModeandtoprogramtheoperatingparameters.
  26. 26.Iftherearetwoexternalmemorychips,performsteps14~25forchip1memorydevice.
  27. 27.SettheConControltoturnonanautorefreshcounter.28.Ifpowerdownmodesisrequired,settheMemControlregisters.
上面就是手册上给出的DDR2型内存芯片的初始化序列,但是单纯的根据上面的步骤配置可能有些困难,这时,我们可以参考u-boot的内存初始化代码来初始化内存,最后你会发现u-boot的操作顺序跟上面是完全一致的。

四 内存初始化代码

我将我配置内存的代码上传到CSDN的下载空间,如果需要的话可以去我资源里下载,是C语言版的。

五 遗留问题

配置好内存的代码烧写到Nand运行是正常的,但是用USB方式启动时不正常,目前还没有找到原因,如果有朋友解决了或者有其他问题请留言相告,在这里先说声谢谢。

现在找到原因了,原来S5PV210的USB启动过程跟Nand启动方式不一样,S5PV210以USB方式启动时会先将三星提供的一个固件程序下载到0xd0020010处运行,然后,再将用户代码下载0x23e00000处运行,也就是说,固件程序完成了内存的初始化,因为我们的代码位于0x23e00000处。而我们的代码中再次配置内存时会重置内存,下载到内存中的代码也就丢失了,所以程序执行到内存初始化函数就会挂掉。

为了证明上面的假设,我在代码中加上一段程序,该程序将内存的中代码拷贝到iram的16K以后的位置上(直接拷贝到0xd0020000处有问题,我是拷贝到了0xd0024000处,现在还不知道什么原因),然后将代码跳转到IRAM中,如果代码可以正常运行就可以证明内存初始化部分正常,实验结果是肯定的,下面总结下:

S5PV210以USB方式启动时用户代码是下载到内存中的(0x23e00000处),要使代码以USB方式启动时正常运行,应该注意以下两点:

(1)如果是位置相关的代码,连接地址应该链接到0x23e00000,如果是位置无关码,可以随便指定连接地址。
(2)用户代码需要检验自己运行时的位置,如果运行在内存中则需跳过内存初始化,根据需要决定是否需要代码重定位。



关键词:S5PV210内存配置DD

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