SK海力士本月底将量产48层3D NAND Flash

　　据韩国经济报导，传闻SK海力士(SK Hynix)先前测试生产的48层3DNANDFlash产品已通过客户端认证，最快将从11月底正式启动量产;以12吋晶圆计算的月产能可望提高到2万~3万片，3DNANDFlash的生产比重也将提高至整体NANDFlash的15%。

　　业界除了三星电子(Samsung Electronics)已从2015年第4季起开始量产48层产品之外，其他如东芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技术瓶颈，SK海力士将是第二家进入量产的业者。

　　由于3D NAND Flash性能上的优点，业界普遍认为不久的未来将成为3D NAND Flash时代。市调机构IHS预估，存储器业者的3D NAND Flash生产比重将由2015年6.7%逐年提高，2016年为23.6%，2017年为57.8%。

SK海力士表示，研发团队正顺利进行下一代72层3D NAND产品研发，预估可在2017年下半投产。为此，公司决定将2015年8月完工的利川M14工厂二楼作为3D NAND专用厂房，目前正进行无尘室施工，2017年产线稼动后，3D NAND的产量可望大幅提升。

　　SK海力士相关人士表示，DRAM占整体公司营收70%，48层3D NAND Flash量产之后，应可降低DRAM的营收占比，让获利结构更为稳定。