漫漫存储路 中国还有几道关卡待过

　　怎么获取技术?

　　如果真如我们所说，XMC的3DNANDFlash技术不够可靠，那么对于长江存储来说，可能的选择是什么?

　　假设中国又不能从美国人手上买到一个存储芯片公司(如美光)，中国将怎么获取到存储的核心技术?JV是一个好选择么?

　　换种方式，假设中国真不能买到美光，又能否获得美光的相关Flash技术授权?市场是也有传言中国将会和美光签订相关的合作协议。

　　IC Insight的分析师认为，由于美国、日本和韩国等的层层阻挠，中国是不可能轻易能收购到这些国家的企业，甚至相关合作也会是困难重重，所以中国获得先进的NVM技术和先进DRAM技术的过程，一定是困难重重的。

　　他还指出，根据存储的发展规律，现在似乎也进入了存储产业的周期性转移阶段，中国能否效仿当年的韩国从日本手上抢来存储产业，将同样的故事在韩国的身上重演，我们保留观察。但我们眼见的就是中国台湾在过去二十年的存储尝试是失败的。

　　从现状看来，授权应该是中国获得相关技术的最可行方式了。专利授权是最好的一个途径。而根据中国过往的产业发展经验，这也是有成功经验可参考的。

　　例如美光曾经将一些专利卖给了技术研究机构和专利授权公司Round Rock Research LLC，他们拥有丰富的产品线，而产品布局也贯穿整个亚洲、美洲和欧洲。这是中国可以获取专利的一个方向。

　　另外，美光还和很多企业有交叉授权，中间有些公司就能提供相关的授权服务。这些公司当中就包括了Quatela Lynch McCurdy。

　　我们认为XMC迟早会获得相关技术授权，区别只是时间迟早、价格高低以及合作条件的问题。

　　至于具体会获得哪些技术，分析人士指出，美光的3DNANDFLASH是应该没问题的，但是在Intel和美光共同开发的3D Xpoint上。相关人士指出，现阶段Intel是不会轻易点头的。

　　但从某个角度看，这也并非是不可能。因为中国和这些跨国巨头的合作非常紧密。

　　大家应该还记得在2014年，Intel和紫光集团的一个深度的合作。所以一切都是有可能的。

中国DRAM的前景又如何?

　　据作者了解到，按照早期规划，长江存储原本是想既做Flash，又做DRAM的。但经过了几个月的运营，形势逐渐明朗，长江存储还是只专注于做NANDFlash。

　　但是DRAM对中国来说，同样重要，所以中国也不会忽视。另外跟FLASH相比，DRAM的供应商更少，且专利什么的更集中，竞争对手少，但是强大。

　　联电和福建政府打造的晋华项目，就是瞄准DRAM而去的。双方的合作在今年五月份宣布的，这个合作是中国半导体建设的一个重要组成部分。

　　根据合作协议，联电会在台湾成立一个百人规模的研发团队，而福建晋华则提供研发所需的资金。根据分析人士透露，联电本身对于进入DRAM是没有什么兴趣，但他们看好和中国合作伙伴共同推进先进技术后带来的收益。

　　晋华项目将投资56.5亿美元在晋江建立一个300mm晶圆厂，投入先进存储技术的研发。计划2018年9月试产，并达到月产6万片的规模。据透露，初期将会导入32nm制程。

　　韩国等着，中国来啦

　　业界传言，三星、SK海力士和美光之间有一个私下协议，就是联手阻碍中国存储的崛起。

　　但是另外也有人指出，除三星外的其他供应商对于三星长达十数年的存储领先感到厌烦，他们希望联合中国把三星拉下马。

　　很多硅谷芯片专家也指出，如果在不久的将来，某个或几个厂商和中国合作，目的就是为了打破三星的垄断，这也不会让人惊讶。

　　韩国人，中国来了，做好准备吧!

　　但对于中国存储来说，就算拿到了技术，未来还有很多路要走，因为他们的目标是爬上第一阵型和领先厂商并驾齐驱，甚至寻机超越。

　　而这则是一个漫长、艰苦且耗资巨大的过程。