- 近日，据媒体报道，三星电子存储业务主管李政培称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。三星正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。目前，存储产业处于缓速复苏阶段，大厂们正在追求存储先进技术的研发。从当前进度来看，NAND Flash的堆叠竞赛已经突破200层大关：SK海力士已至321层，美光232层，三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层）。据悉，三星将于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层）
- 关键字：三星第九代V-NAND闪存
第九代介绍
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