同步整流通过降低功耗提高效率

　　一些应用要求尽可能高的功率效率。例如，在某种恶劣环境下，要求DC/DC电源在高环境温度下工作，这时就需要低功耗，以让半导体器件的结温保持在其额定范围以内。其他应用可能必须达到“能源之星”规范或者绿色模式标准的严格效率要求。电池供电型应用的用户希望获得最长的运行时间，而降低功耗可以直接延迟设备运行时间。今天，我们都知道，使用同步整流器可以降低功耗，并提高散热性能。低功耗应用的降压转换器和控制器设计人员已经在使用这种方法。另外，人们还开发了同步升压控制器，用于解决升压应用的功率效率问题。

　　典型应用

　　我们使用两个典型的升压应用来说明同步和非同步整流之间的差异。第一个是低输入电压应用，其可工作在低占空比下，也即输出电压接近输入电压时。这种系统的输入例子是USB端口，或者一块2节或者3节串联电池组成的锂离子(Li-Ion)电池组。DC/DC电源升高电压，对2节锂离子电池或者一台平板电脑的电池进行充电。另一个应用增高系统电源轨的电压至高输出电压，其可工作在更高的占空比下，这时输出电压远高于输入电压。输入例子为12V电源轨。功率放大器、工业计算机或者高能量密度的能量存储，均需要高输出电压。

　　为了说明同步整流的好处，我们使用真实电路对每个应用进行测试，以比较效率和功耗。TI的TPS43060/61同步升压控制器，用于展示这些同步设计。这些电流模式升压控制器集成了控制与门驱动电路，用于低侧和高侧MOSFET.TI的TPS40210电流模式、低侧开关升压控制器用于非同步设计。

　　基础操作

　　图1显示了步进(升压)拓扑的典型结构图。这种拓扑由低侧功率MOSFET(Q1)、功率电感(L1)和输出电容器(C1)组成。就同步拓扑而言，高侧MOSFET(Q2)用于整流开关。

　　图1 同步与非同步升压电路

　　在非同步升压拓扑中，使用了一个功率二极管(D1)。图2显示了开关和电感的电压和电流的等效波形。在Q1“导通”期间，电感电流斜线上升，并且VOUT从VIN断开。在此期间，输出电容器必须为负载供电。在“断开”期间，电感电流斜线下降，并通过整流开关对输出电容器充电。整流器的峰值电流等于开关的峰值电流。

　　整流开关的选择

　　非同步控制器使用一个外部功率二极管作为整流开关。选择功率二极管时需考虑的三个主要方面是：反向电压、正向电流和正向压降。反向电压应高于输出电压，包括开关节点振铃余量。正向额定电流应至少等于电感器的峰值电流。正向电压应较小，以提高效率和降低功耗。平均二极管电流等于平均输出电流。所选二极管封装必须能够处理功耗。

　　同步控制器控制整流开关的另一个MOSFET.如果使用N通道MOSFET,则必须产生高于输出电压的电压，以用于门驱动器。利用一个自举电路来产生这种电压。图1包括了一个标准自举电路的典型结构图，其由自举电容器(CBOOT)和自举二极管(DBOOT)组成。在Q1“导通”期间，自举电容器被充电至某个稳定电压(VCC)，其通常由一个控制器内部的低压降稳压器来调节。当Q1关闭时，电容器到接地的电压为VOUT+VCC,并且要求电压可用于开启高侧开关。控制电路也必须更加复杂，以确保整流开关导通之前有足够的延迟，从而避免两个开关同时开启。如果出现这种情况，输出电压通过两个开关短路至接地，引起可损坏开关的强电流。

　　整流开关的功耗

　　为了比较两个不同整流器的效率，我们应计算出功耗。在非同步拓扑中，可使用方程式1估算出整流功率

　　二极管的功耗：

　　使用一个同步整流器时，共有两个主要功耗源：传导功耗和空时损耗。当低侧开关关闭时，在高侧开关导通以前存在一定的时间延迟(tDELAY)。在这种延迟期间，高侧开关的体二极管(V S D)导电。一般而言，这被称作空时(停滞时间)。当高侧开关开启时，同样存在MOSFET的RD S(O N)带来的传导损耗。方程式2计算占空比(D)，而方程式3估算损耗(PQ2)：

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