从ISSCC 2019看电源、模拟、数据转换器、前瞻领域的技术动向

2模拟电路的趋势

　　2.1模拟电路的论文接受情况

　　澳门大学的罗文基教授介绍道，模拟电路方面文章主要有两组，第一组是传感器接口，远东区有1篇入选，欧洲3篇。第二组是模拟技术，主要关注传统模拟电路技术，其中有2篇文章来自远东，3篇北美，2篇欧洲。模拟方面还有1个教程(tutorial)，是关于电流感测(currentsensing)技术的。

　　会上总共介绍了十余篇论文，其中有4篇来自远东，8篇北美，4篇欧洲。远东区中，有2篇来自中国台湾，1篇是韩国，一篇是日本的。

　　2.2传感器接口

　　2.2.1CMOS温度传感器。

基于电阻式CMOS温度传感器方面，如图2所示，从2014年到2019年，电阻式CMOS传感器在resolutionFOM(分辨率函数)方面逐年变好。在最近几年，BJT(双极结型晶体管)已经被电阻式CMOS超越。还有最重要的一点，是本次有第一篇基于电阻式CMOS的技术，能做到小于0.4℃的温差，且只用一个校准点，这方面过去是BJT擅长做的，而且比传统的基于BJT的效果还好。

　　2.2.2晶振功耗。IoT设备需要快速启动，通常要放大信号，才能令启动加快。但这限制了放大器的带宽，致使功耗效率降低。本次会议中有一篇用了I/Q调制原理，只需要DC放大(amplification)。相对地，放大器带宽就可做得很小，使功耗可以降得很低。

　　图3是最近几年晶振的降低情况，可见在各种学术会议中，ISSCC2019所发表的功耗指标是最低的。

　　有两部分的文章。第一部分是传感器接口，如图4，有2篇论文。第一篇来自ADI公司，主要做EMF(Energy measurement frontend，能量量测前端)，通过使用准确的片内电流和电压基准子系统，使用insitu Back ground calibration技术实时对系统进行校正，从而使系统能连续工作，同时又能保证良好的精准度。另外一篇文章是关于MEMS加速度计的，东芝发表的。亮点是性能指标很高：能做到11倍FoM(品质因子)的提升，还有9倍的噪声降低。