东芝和西数正研发128层3D NAND闪存：最早2020年上市

　　根据外媒的报道，东芝及其战略盟友西部数据准备推出更高密度128层3DNAND闪存。在东芝的命名法中，该芯片将命名为BiCS-5。

　　据介绍，芯片将实现TLC，而不是更新的QLC。这可能是因为NAND闪存制造商仍然对QLC芯片的低产量有担心。该芯片的数据密度为512 Gb，新的128层芯片的容量比96层芯片多33%，可以在2020到2021年实现商业化生产。

　　据报道，新芯片每单位信道的写入性能从66 MB / s增加到132 MB / s。据报道，该芯片还采用了CuA(阵列电路)，这是一种设计创新，节省了15%的芯片尺寸。