东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。
本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/202003/411503.htmU-MOS X-H系列产品示意图
新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。
由于采用了其最新一代的工艺制造技术,与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比,新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构,漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此,新产品可提供业界最低[3]功耗。
东芝正在扩展其降耗型产品线,从而为降低设备功耗提供帮助。
应用:
● 开关电源(高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等)
● 电机控制设备(电机驱动等)
特性:
● 业界最低[3]功耗(通过改善导通电阻与栅极电荷特性[2]之间的平衡)
● 业界最低[3]导通电阻:
RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)
RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)
● 高额定通道温度:Tch=175℃
主要规格:
(除非另有说明,@Ta=25℃)
器件型号 |
TPH2R408QM |
TPN19008QM |
||||
绝对最大 额定值 |
漏源电压VDSS(V) |
80 |
||||
漏极电流 (DC)ID(A) |
@Tc=25℃ |
120 |
34 |
|||
通道温度 Tch(℃) |
175 |
|||||
电气特性 |
漏源导通电阻 RDS(ON) 最大值(mΩ) |
@VGS=10V |
2.43 |
19 |
||
@VGS=6V |
3.5 |
28 |
||||
典型值 |
总栅极电荷(栅源+栅漏) Qg典型值(nC) |
87 |
16 |
|||
栅极开关电荷 Qsw(nC) |
28 |
5.5 |
||||
输出电荷 Qoss(nC) |
90 |
16.5 |
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输入电容 Ciss(pF) |
5870 |
1020 |
||||
封装 |
名称 |
Advance |
SOP |
TSON |
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尺寸典型值(mm) |
5.0×6.0 |
3.3×3.3 |
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