国产存储芯片又取得突破，长江存储192层闪存送样，预计年底量产

头一段时间，有媒体报道称，长江存储自主研发的192层3D NAND闪存已经送样，预计年底实现量产。

长江存储一直是我们优秀的国产存储芯片企业，从成立之初便保持了一个高速的发展状态。

2016年成立，2017年便推出了32层NAND闪存。2019年，推出64层堆栈3D NAND闪存，并成功进入了华为Mate40手机的供应链。

为了缩短与三星、SK海力士、铠侠等行业大厂的差距，长江存储跳过了96层，直接进行了128层3D NAND闪存的研发，并在2020年正式宣布研发成功，它是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。

长江存储只用了3年的时间，就实现了从32层到128层的跨越，完成同领域企业6年走过的路。

4月份，长江存储推出了一款高速UFS 3.1闪存芯片，性能方面与当下最优秀的各家大厂相比，完全不落下风。

例如，行业里最好的三星UFS 3.1闪存芯片，其512GB版读取速度2100MB/s，写入速度1200MB/s。而UC023的512GB版读取速度2000MB/s，写入速度1250MB/s，可以说不分伯仲，2款芯片都处于行业里最顶尖的水平。

美光在去年发布了176层的UFS 3.1闪存，但其读取速度只有1500MB/s，而写入速度却未进行公布，估计是因为性能上占不到优势。所以说，长江存储的闪存芯片，已经非常优秀了。

另外，根据业内传出消息称，长江存储也打入苹果供应链，为iPhone SE 3供应闪存芯片，这也是最好的证明。

当然，从时间维度上来看，我们还处于落后，例如三星是2020年3月推出的UFS 3.1闪存芯片，但是我们起步晚，目前来说已经取得了飞速的进步。

当然，从行业里来看，其他厂商也在加大研发力度，例如，近日美光发布了业界首个232层3D闪存芯片，预计年底或者明年开始量产。

三星也发布了224层3D闪存芯片，同样预计年底量产。

另外三星还宣布，已经研发出UFS 4.0闪存芯片，每通道带宽速度增至23.2Gbps，是UFS 3.1的两倍，基于三星第七代V-NAND闪存和自研主控，可以实现高达4200MB/s的顺序读取速度和高达2800MB/s的写入速度，为当今性能最高的闪存芯片。

所以如果从相似规格或者相近性能角度来说，我们的国产闪存芯片还落后世界顶尖水平1-2年时间。但我相信，用不了多久，一定可以追上这个差距。

除了在技术方面，国产闪存的产能上也略显不足。目前，长江存储已经将月产量扩大至10万片晶圆，并且随着武汉的工厂二期项目的建设，预计到2023年底，长江存储月产量可能超过20万片，全球市场份额也有望达到7-8%。但是与行业大厂相比，还是有很大的差距。

总之，192层3D NAND闪存芯片，将是长江存储发展过程中的一个里程碑，同时它也意味着，国产存储芯片在追赶美国、韩国顶尖企业的道路上，又前进了一大步。并且在这个领域，我们已经完全不用惧怕国外的打压和封锁，不会存在卡脖子的难题。