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西部数据携手铠侠推出第八代3D闪存技术

—— 采用突破性缩放和晶圆键合技术的架构创新,在性能、密度和成本效益方面实现了重大飞跃
作者: 时间:2023-04-03 来源:电子产品世界 收藏

202343日,上海-公司(NASDAQWDC)日前宣布,与合作伙伴联合研发出全新的3D闪存技术,展示了双方持续携手创新的成果。该技术采用先进的缩放和晶圆键合技术,能够以更低的成本提供具备卓越容量、性能和可靠性的解决方案,以满足各行业呈指数级增长的数据存储需求。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/202304/445201.htm

公司技术与战略高级副总裁Alper Ilkbahar表示:“全新的3D闪存技术展现了我们与强有力的协作以及双方在技术创新上的地位。通过坚持共同的创新研发路线,并持续研发投资,我们已能够提前将这一基础性技术产品化,并提供高性能、高性价比的解决方案。”

公司和通过引入一系列独特的工艺和架构来降低成本,从而实现持续的横向进展。全新的3D闪存技术在纵向和横向上取得了缩放平衡,让层数更少、体积更小的晶圆实现更大的容量,并在成本方面实现了优化。双方还开发了突破性的CBACMOS directly Bonded to Array,外围电路直接键合到存储阵列)技术,使每个外围电路晶圆和单元存储阵列晶圆都在更优的条件下单独制造,并通过键合来提供更高的位密度和更快的NAND I/O速度。

铠侠公司首席技术官Masaki Momodomi表示:“基于双方在技术工程领域独特的合作关系,我们成功推出了目前具有业界最高位密度[1]的第八代BiCS闪存,现已开始为部分客户提供样品。通过应用CBA和缩放技术创新,我们在3D闪存技术组合上再度取得进展,可支持包括智能手机、物联网设备和数据中心等一系列以数据为中心的应用场景。”


此次西部数据联合铠侠推出的2183D闪存技术利用具有四个平面的1Tb TLC(三级单元)和QLC(四级单元),采用创新的横向收缩技术,将位密度提高了约50%。其NAND I/O速度超过3.2Gb/s,比上一代产品提高了约60%,同时写入性能和读取延迟方面改善了约20%,为用户提供更高的性能和可用性。



[1]来源:铠侠公司数据调研,2023330




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