DDR5 重新下跌，内存现货价格未见回暖

根据 TrendForce 最新公布的每周内存现货价格，DDR5芯片的现货价格已经重回下跌趋势，导致整体现货价格没有回暖迹象。

DRAM 现货市场：

DDR5芯片现货价格再次震荡下行，DDR4、DDR3 产品现货价格继续呈逐日递增跌势。现货市场整体还未出现价格反弹的迹象。近期，部分买家寻求小批量订单的报价，但这种需求并没有产生足够的动力来扩大整体成交量。目前，多数贸易商普遍认为现货价格已接近底部，但由于需求前景不乐观，仍处于被动备货状态。主流芯片（即 DDR4 1Gx8 2666MT/s）现货均价由上周的 1.543 美元下跌 0.97% 至本周的 1.528 美元。

NANDFlash现货市场：

供应商供应减少，效能显现，目前市场已达成共识，价格无法再进一步下跌。尽管交易量尚未相应放大，但现货价格整体开始企稳。512Gb TLC 晶圆本周下跌 0.49%，至 1.420 美元。

尽管市场没有回暖，但大厂的步伐没有停止。SK 海力士宣布，已完成现有 DRAM 中最为微细化的第五代 10 纳米级（1b）技术研发，并将适用其技术的DDR5服务器 DRAM 提供于英特尔公司（Intel®）开始了「英特尔数据中心存储器认证程序（The Intel Data CenterCertified memory program）」。此程序是英特尔的服务器用第四代至强®可扩展平台（Intel® Xeon® Scalable platform）所采用的存储器产品兼容性的正式认证流程。

SK 海力士向英特尔提供的 DDR5 DRAM 产品运行速度高达 6.4Gbps（每秒 6.4 千兆比特），公司技术团队实现了目前市面上 DDR5 DRAM 的最高速度。与 DDR5 DRAM 初期阶段的试制品相比，数据处理速度提升了 33%。

另外，公司在此次 1b DDR5 DRAM 上采用了「HKMG（High-K Metal Gate）」工艺，与 1a DDR5 DRAM 相比功耗减少了 20% 以上。

SK 海力士强调：「通过 1b 技术的研发成功，将可向全球客户供应高性能与高效能功耗比兼备的 DRAM 产品。」

SK 海力士 DRAM 开发担当副社长金锺焕说道：「就如于公司在今年 1 月将第四代 10 纳米级（1a）DDR5 服务器 DRAM 适用到英特尔®第四代至强®可扩展处理器（4thGen Intel® Xeon® Scalable processors），并在业界首次获得认证，此次 1bDDR5 DRAM 产品验证也会成功完成。」

他又说到：「有预测称从今年下半年起存储器市场状况将得到改善，公司将以 1b 工艺量产等业界最高的 DRAM 竞争力水平加速改善今年下半年业绩。又计划在明年上半年将最先进的 1b 工艺扩大适用于 LPDDR5T 和 HBM3E 产品。」

另外，SK 海力士表示，为了将已完成一轮兼容性验证的 1a DDR5DRAM 适用于英特尔下一代至强®可扩展平台的追加认证流程也正在同步进行中。

三星电子也正式宣布，采用 12nm 级工艺的 DDR5 DRAM 内存芯片已经开启了量产模式。这种新型内存芯片单颗容量可以达到 16Gb(2GB)，最高速度可达 7.2Gbps(等效频率 7200MHz)，这相当于每秒钟可以处理两个 30GB 超高清电影。与之前的产品相比，12nm DDR5 的功耗降低了多达 23％，同时晶圆生产率提高了 20％，这将对服务器和数据中心的节能减排产生明显的贡献。值得一提的是，12nm 级工艺的 DDR5 DRAM 内存芯片的开发基于一种新型高 K 材料，该材料可以提高电池电容并使数据信号出现明显的电位差，从而更易于准确地区分。此外，三星还在降低工作电压和噪声方面取得了新的成果。

美光则在 1 月 19 日宣布推出新一代 DDR5 内存模块，产品覆盖 DDR5-5200/5600，最高拥有 48GB 容量的版本。据悉，美光新一代 DDR5 内存可以支持 5200MT/s 和 5600MT/s 的数据传输速率，以及 1.1V 电压下的 CL46 延迟，同时兼容 AMDEXPO 和英特尔 XMP 3.0 配置文件。该模块在与英特尔处理器兼容上性能提升了 49%，配置最高可达 48GB。美光的新 DDR5 存储模块已在英特尔处理器芯片上完成了认证。美光还与 AMD 在奥斯汀建立联合服务器实验室，以缩短存储芯片的验证周期。杨俊刚指出，从合作对象来看，三大存储芯片厂商在 DDR5 方面主要与英特尔和超威半导体服务器处理芯片供应商合作，能够高效提升处理器芯片和存储器芯片之间的兼容性。

DDR5 作为新一代 DRAM 存储技术，与 DDR4 相比在传输速率和容量方面出现较大突破。因此，厂商抢先布局 DDR5，是构筑自身 DRAM 技术优势的战略需求。

但业界对 DDR5 DRAM 的市场预期不能太过乐观。受到全球经济前景不明朗、市场持续低迷、客户库存水位较高等因素影响，服务器 DRAM 市场的复苏速度将低于预期。Omdia 预计，今年服务器 DRAM 中采用 DDR5DRAM 芯片的速度将比预期的要慢。此前，市场预计 DDR5 将占据服务器 DRAM 市场的 28%，但当前这一数字已被调整为 13%。Omdia 的数据显示，2023 年第一季度，DDR5 DRAM 将仅占服务器 DRAM 市场的 3%，第二季度为 8%，这一比例将在第三季度跃升至 15%，在第四季度将达到 24%。

Server DRAM 预估 DDR5 第一季价格跌幅约 18~23%，略高于 DDR4，但 DDR5 第一季度导入率仅约 10%，故 Server DRAM 价格下跌幅度主要还是由 DDR4 决定，预估跌幅约 15%~20%。

目前存储器市场主要表现为市场需求疲软、库存仍处于高位，导致内存芯片价格下滑，存储器厂商整体营收下降。目前，市场下滑趋势还未达到终点，预计将持续一段时间。专家认为，这对 DDR5 DRAM 的市场渗透速度有较大影响。此外，由于目前 DDR5 成本较高，主要应用领域是对算力要求较大的数据中心、元宇宙、人工智能等领域的服务器产品，目前 DRAM 市场主流产品还是以 DDR4 为主，DDR5 替代 DDR4 产品还需要一定时间。