Diodes推出符合汽车规格的碳化硅MOSFET产品，可提升车用子系统效率

【2023年7月19日美国德州普拉诺讯】Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)今日宣布推出DMWSH120H90SM4Q和DMWSH120H28SM4Q两款符合汽车规格的碳化硅(SiC) MOSFET，进一步强化宽能隙(Wide-Bandgap)产品阵容。此系列N信道MOSFET产品可满足市场对SiC解决方案不断增长的需求，提升电动与混合动力汽车(EV/HEV)车用子系统的效率及功率密度，例如电池充电器、车载充电器(OBC)、高效DC-DC转换器、马达驱动器及牵引变流器。

DMWSH120H90SM4Q可在最高1200V_DS范围内安全可靠地运作，其闸极-源极(Gate-Source)电压(V_gs)为+15/-4V，且在15V_gs时具有75mΩ(典型值)的R_DS(ON)规格。此装置适用于OBC、汽车马达驱动器、EV/HEV中的DC-DC转换器以及电池充电系统。

DMWSH120H28SM4Q可在最高1200V_DS、+15/-4V_gs的条件下运作，且在15V_gs时具有较低的20mΩ(典型值) R_DS(ON)。此MOSFET适用于其他EV/HEV子系统中的马达驱动器、EV牵引变流器及DC-DC转换器。凭借低R_DS(ON)的特性，在需要高功率密度的产品应用中，此系列MOSFET能以较低的温度运作。

这两款产品均有低导热率(R_θJC=0.6°C/W)，DMWSH120H90SM4Q的汲极(Drain)电流高至40A，DMWSH120H28SM4Q的汲极电流高至100A。此系列也内建快速且稳健的本体二极管(BodyDiodes)，具有低反向复原电荷(Q_rr)，在DMWSH120H90SM4Q中为108.52nC，在DMWSH120H28SM4Q中为317.93nC，因此能够执行快速切换，同时降低功率损耗。

Diodes采用平面制造技术开发出全新MOSFET，能在汽车产品应用中提供强大与可靠的效能，提高汲极电流、崩溃(Breakdown)电压、接面温度及功率环形电路，表现优于先前发布的版本。此系列装置采用TO247-4 (WH型)封装，提供额外的凯氏感测(Kelvin-sensing)接脚。可连接至源极以优化切换效能，实现更高的功率密度。

DMWSH120H90SM4Q与DMWSH120 H28SM4Q均符合AEC-Q101标准，由IATF 16949认证的设施制造，并支持PPAP文件。