为什么MOS管需要提升关断速度？如何解决这个问题？

今天咱们来聊聊为啥mos管开关得快点儿，还有怎么才能快点开关。

mos管驱动有几种方法，我们知道，其中有一种是用专门的驱动芯片驱动，我们就以这个驱动设计为主。

说起mos管关断，通常电压会比开通时高，所以关断的损失也会比开通时大，所以我们自然希望电路关断的速度能更快些。

那么，咱咋能让mos管快些开关呢？

咱们看看这张图

在mos管开通时，电阻R1和R4限制了电流，这样就能给mos管电容充电；

要注意的这儿，R1和R4的电阻值并非固定，而且，R1通常小于R4。

当mos管关断时，R4电阻上的电压被限制在0.7V，一旦超过0.7V，电流就会通过二极管，然后与R1串联进行放电，这样驱动电阻就能减小，从而可以让mos管快速关断，进而减少关断损失。

这儿有个问题：要是芯片驱动能力不够咋弄？

答案就是：我们可以通过增加PNP三极管来实现。

当mos管开通时，还是让芯片直接驱动，但关断时可以通过三极管放电。

这时候，三极管的be电流能控制ec电流，进而释放mos管的栅极电容的电荷。只要三极管的ce电流满足特定条件，ec的电流就能通过be电流进行扩大，这样电源IC所需的关断能力就会小很多。

这样一来，不仅能解决mos管开关慢的问题，还能解决IC驱动能力不足的问题。