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攻克 2nm 技术,材料、化学品发挥关键作用

作者: 时间:2024-01-15 来源:半导体产业纵横 收藏

供应链高管表示,随着台积电和英特尔等公司将当前生产技术推向极限,新材料和更先进的化学品将在芯片制造行业发挥越来越重要的作用。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/202401/454784.htm

Entegris 和默克公司的高管接受日媒采访,讨论了随着摩尔定律(晶体管将继续缩小、芯片变得更强大的前提)放缓,全球芯片竞赛如何演变。

美国芯片材料制造商 Entegris 首席技术官 James O'Neill 表示,在实现先进生产工艺方面,占据中心位置的不再是芯片制造机器,而是先进材料和清洁解决方案。

「三十年前,一切都与光刻设备有关,以使芯片上的晶体管更小并提高设备性能,」O'Neill 说。光刻是指将集成电路印刷到芯片上的关键芯片制造工艺。机器打印这些电路的精细程度通常决定了芯片的先进程度。「今天,我认为材料创新是提高性能的主要驱动力这一说法是可靠的,」首席技术官补充道。

默克电子业务首席执行官凯·贝克曼 (Kai Beckmann) 也表达了同样的观点。贝克曼说:「我们正在从过去二十年(芯片制造)工具对于推进技术最重要的时代转向下一个十年,即我们的客户所说的材料时代。工具仍然很重要,但现在材料决定了一切。」

贝克曼表示,现在不仅对于处理器和其他逻辑芯片(所谓的电子设备大脑)来说是一个关键时刻,对于包括动态随机存取存储器(DRAM)和 3D NAND 闪存在内的存储芯片领域来说也是如此。

对于处理器芯片,到 2025 年大规模生产 2 纳米节点的竞赛已经开始,台积电、三星和英特尔等巨头处于领先地位。根据各种开发路线图,更复杂的芯片也可能即将出现。

与此同时,三星、SK 海力士和美光等存储芯片巨头正在利用 3D NAND 闪存攀登新高度,目标是最终生产出多达 500 层的芯片。这三家公司目前生产的芯片层数超过 230 层,并正致力于在一到两年内生产超过 300 层的 NAND。具有更多层的芯片被认为更先进,因为它们提供更大的存储容量。3D DRAM 技术也在不断发展。

这两个领域的进一步进步不仅需要先进的工具,还需要全新的尖端材料库。例如,逻辑芯片生产跃升至 2 纳米,需要全新的芯片架构。在这种称为环栅 (GAA) 的新配置中,晶体管以比早期平面配置更复杂的三维方式堆叠。

O'Neill 将化学物质应用于三维晶体管比作类似于「从直升机上给纽约市喷漆。您需要能够控制建筑物顶部、建筑物侧面和街道高度的材料属性。你需要确保你所需要的那种统一性,以便在你完成之后能够清理街道。」O'Neill 说,开发用于新型晶体管配置(例如环栅)的材料需要创新材料「将顶部、底部和侧面均匀地涂覆」,并补充说,该行业正在工程方法「在原子尺度上」做到这一点。

化学品变得越来越重要的另一个方面是确保质量的一致性。O'Neill 表示,生产良率(即给定批次中生产的功能芯片的百分比)对于确定哪些厂商具有商业竞争力变得极其重要。高纯度化学品对于确保完美生产和最大限度减少缺陷至关重要。

默克公司的贝克曼给出了该行业材料演变的另一个例子:铜在当前芯片制造工艺中被广泛用作导电层,但为了制造更小、更先进的芯片,该行业正在探索钼等新材料。「你需要一套全新的材料,才能使尖端芯片的节点变得更小,」他说。

持续创新并不便宜。据芯片行业咨询公司 International Business Strategies 估计,单片 2 纳米晶圆成本高达 3 万美元,比上一代(即 iPhone 15 Pro 使用的 3 纳米先进处理器)高出 50%。一座 2 纳米半导体制造工厂每月可生产 50,000 片晶圆(WSPM),成本约为 280 亿美元。这比 3nm 晶圆厂的成本高出 80 亿美元。

芯片材料制造商预测,随着美国、中国、欧洲、日本和印度等国政府的大力支持,半导体巨头将继续扩大规模,而芯片的巨大成本正是其中一个推动在岸半导体生产的原因。后来者要进入这场竞赛并不容易,而今天的领跑者预计不会有人退出。

Entegris 首席执行官 Bertrand Loy 表示:「这是一个资本高度密集的行业。我预计同样的力量会继续前进。大公司只会变得更强,他们会愿意继续投资,因为这将是他们竞争优势的来源。」



关键词:半导体材料

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