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寿命长、稳定性高的μLED技术简介

作者: 时间:2013-10-09 来源:网络 收藏
定址微晶粒发光二极体阵列微显示器

  美国Ostendo Technology公司透过优化半导体製程中的微影及蚀刻技术(图3),在4吋LED晶圆上实现均匀度98%,密集度高达2,450dpi的Micro LED阵列。此技术的开发有助于高解析的LED微显示器实用化。Ostendo也将运用此技术製作雷射二极体(LD)阵列,做为投影显示源,此举将比 LED微显示器在投影应用上,具有更佳的光学效率。

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  图3 Ostendo Technology公司开发Micro LED阵列点距10μm的製程技术

  英国Strathclyde大学的Dawson教授在Micro LED的研究上投入颇多,图4为其製作的64×64微显示器。他们并将微透镜(Microlens)积体电路整合到Micro LED阵列上,用来提高显示器亮度。2010年中研究团队更衍生成立mLED公司,提供Micro LED技术平台,配合客户开发生医、微显示、列印、半导体製程光源等相关应用模组或产品。

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  图4 mLED开发的64×64 Micro LED阵列

  图5为工研院电光所製作之240×160 Micro LED元件。元件尺寸为7.4毫米(mm)×4.9毫米,Micro LED画素间距为30微米(846dpi)。工研院电光所目前已製作出红、蓝、绿光的Micro LED阵列,并朝整合红、蓝、绿叁光色Micro LED在单一晶片中开发,以实现单晶片Micro LED全彩显示晶片。

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  图5 工研院电光所製作的240×160蓝光LED微晶粒阵列元件影像

Micro LED应用范畴扩大

  Micro LED微显示器的潜在应用包含微投影机(Pico Projector)、头戴式显示器及抬头显示器等。

  目前微投影技术以数位光线处理(Digital Light Processing, DLP)、反射式硅基板液晶显示(Liquid Crystal on Silicon, LCoS)、微机电系统扫描(MEMS Scanning)叁种技术为主,但这叁种技术都须使用外加光源,使得模组体积不易进一步缩小,成本也较高。相较之下,採用自发光的Micro LED微显示器,不须外加光源,光学系统较简单,因此在模组体积的微型化及成本降低上具优势(图6)。国际上开发此种投影架构技术的组织或团队包括 OKI、香港科技大学、Ostendo等公司。OKI已有单光色高画质(HQ)VGA Micro LED雏型展示,香港科大则在红、蓝、绿光Micro LED整合到主动驱动电路基板上已有初步成果。

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  图6 Micro LED微投影技术与LCoS、DLP和Laser Scanning传统微投影技术架构示意

  Micro LED微投影技术的目标市场在消费性行动电子,特别是技术门槛较高的手机微投影应用。投影模组要内建于手机中,模组体积厚度须小于6毫米、体积大小1立方公分左右,而能被消费者接受的关键之一就是其功耗须在合理的1瓦(W)内,且投影亮度至少须达100流明(lm),此亮度可在大部分微投影使用场域的环境亮度下(150Lux)、A4大小的投影像维持10以上的对比度,而不被环境光刷白(Washout)。消费性行动电子产品在2012年有二十亿件以上的市场,若投影应用有5%的渗透率,则将有一亿件以上的市场机会。

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