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片外Flash存储器IAP的一种方案

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作者:中国人民解放军防空兵指挥学院 刘忆辉 魏银库 邹程 张军伟 时间:2007-01-26 来源:《单片机与嵌入式系统应用》 收藏

引言

以arm芯片为处理器核的嵌入式应用系统,以其小体积、低功耗、低成本、高性能、丰富的片内资源以及对操作系统的广泛支持,得到了人们越来越多的青睐。包括工业控制领域、无线通信领域、网络应用、消费电子、成像和安全产品等,如今,arm微处理器及嵌入式技术的应用几乎已经渗透到了各个领域。其中,arm7作为arm微处理器系列中的一员,是低功耗的32位risc处理器。samsung公司的s3c4510b、philips公司的lpc20xx、lpc21xx、lpc22xx系列等都是arm7处理器。这些为数繁多的arm7处理器,因其片内外设不同而各擅所长,但都应用同样的arm7tdmi核(或arm7tdmi-s核,这是arm7tdmi的综合版本,这两种核对处理器应用人员来说没有区别)。可以说,arm7tdmi是目前使用最为广泛的32位嵌入式risc处理器。arm7tdmi核应用冯·诺依曼结构,处理器使用的中数据和程序指令不予区分,pc寄存器指向的单元,无论是rom区还是ram区,只要符合arm指令的格式都可以执行,这就为系统自修改提供了可能。在应用编程iap(in application program)就是这样的自修改程序。它先在ram中写入数据值,然后使pc指向该存储段,把该段作为程序段来执行。很多arm7芯片自带iap处理器,应用其自带的iap处理器可以方便地对其片内集成的flash存储器进行在应用编程,但几乎所有的arm核芯片均不支持片外iap处理,因为片外flash存储器是用户选型的,芯片生产厂家无法先知先觉,而不同flash存储器其编程时序也不尽相同,导致芯片生产厂家无法提供通用的iap代码。那么,如何对嵌入式系统的片外flash存储器进行在应用编程呢?这里分两种情况:一是普通代码存放在片外单独1片flash中,iap代码在另一片flash中完成,此时只要依据flash的操作时序执行iap代码,完成擦除或写入操作即可。这种情况虽然简单,但应用了2片flash;而iap代码很小,一般完全可以集成到1片中,所以这里对这种情况不予考虑,另一种情况是1片flash中既要存储普通代码,又要实现iap。下面以philips公司的lpc2210和silicon storage technology公司的sst39vf160为例,详细讨论这种情况iap的解决方案。

1 硬件结构

1.1 lpc2210介绍

philips公司的lpc2210是一款基于支持实时仿真和嵌入式跟踪的16/32位arm7tdmi-s cpu的微控制器。芯片采用144脚封装,有16kb片内静态ram,开放外部总线;通过外部存储器接口可将外部存储器配置成4组,每组的容量高达16mb,数据宽度8/16/32位均可;具有多个32位定时器、8路10位pwm输出、多个串行接口(包括2个16c550工业标准uart、高速i2c接口和2个spi接口)以及9个外部中断、多达76个可承受5v电压的通用i/o口,同时内嵌实时时钟和看门狗,片内外设功能丰富强大;片内晶振频率范围1-30mhz,通过片内pll可实现最大为60mhz的cpu工作频率,具有2种低功耗模式--空闲和掉电,通过外部中断将处理器从掉电模式中唤醒,并可通过个别使能/禁止外部功能来优化功耗。以上特性,使其特别适用于工业控制、医疗系统、访问控制和pos机,同时也非常适合于通信网关协议转换器、嵌入式软modem,以及其他各种类型的应用。

1.2 sst39vf160介绍

silicon storage technology公司的sst39vf160是一个1m×16b的coms多功能flash器件,单电压的读和写操作,电压范围3.0-3.6v,提供48脚tsop和48脚tfbga两种封装形式。

该器件主要操作包括读、写编程、扇区/块擦除和芯片擦除操作。擦除和字编程必须遵循一定的时序,表1列出了扇区擦除和字编程过程及时序。擦除或编程操作过程中读取触发位dq6将得到"1"和"0"的循环跳变;而操作结束后读dq6,得到的是不变的固定值。这是器件提供的写操作状态检测软件方法。

1.3 硬件连接

sst39vf160作为系统的程序存储器,以lpc2210的cs0作为flash的片选信号,处理器配置boot引脚为16位数据总线宽度后,上电可直接执行sst39vf160中代码。此flash芯片为16位数据宽度,无字节控制总线,所以应用中不使用lpc2210的bls引脚。系统结构示意图如图1所示。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/20788.htm

2.软件实现

2.1 iap实现要点分析

在嵌入式应用系统中,通常要求记录一些现场的传感、交互输入数据,通常把数据记录在flash存储器中,以便下次上电能获得以前的数据。如果系统程序和数据分开存储。那么只要对存放数据的flash器件进行编程即可。然而大多数嵌入式系统,程序和需保存的数据都共存于同一flash存储器中,那么是否也如前所述,可对flash存储器直接编程呢?理论和实践都表明不可以。

先从理论上计算:lpc2210允许的芯片核工作频率(cclk)范围是10-60mhz,存储器读访问长度由存储器组配置寄存器bcfg中读访问的长度域控制wst1控制,其最大可用长度为35个cclk,而sst39vf160的扇区擦除典型时间为18ms。下面是计算算式:

trdmax=rdlenmax/cclkmin=35/10×10-6=3.5μs
tp=18ms>>3.5μs
其中:trdmax--最大读访问的时间;
rdlenmax--最大读访问可用长度;
cclkmin--最小核工作时钟频率;
tp--扇区擦除典型时间。

算式得出扇区擦除典型时间远大于最大读访问时间。这样一来,如果再给某flash写数据,同时于其中预取指,那么因flash执行命令期间,对其他操作不响应,预取出的必定是其数据引脚上的不确定数据,预取指失败。实践也表现,如果在程序执行过程中,对同一flash进行扇区擦除,必定引起预取指中断。

为了解决在同一flash芯片存放程序并iap这一问题,引进代码重映射的思想。所谓重映射就是代码先自复制到制定存储区,然后跳转到制定区的起点开始执行。这里,iap程序先自复制到lpc2210片内sram中,然后跳转到sram执行iap代码。前面过说,arm7为冯·诺依曼结构,这就为iap程序重映射提供了可能。

编写可重映射代码的关键是要解决程序中相对偏移的问题,arm7指令系列中涉及相对偏移的指令主要有ldr/str以跳转指令。这里的解决方案是:凡涉及偏移值的指令通通采用基址变址寻址方式,以pc寄存器作基址寄存器,以立即数为变址,这样当程序块整块移动时,要加载的数据或跳转的地址与当前pc值的偏移值固定,解决了相对偏移问题。

2.2 扇区擦除

事先编程在flash中的程序前自复制到sram制定的位置,然后,赋pc为sram中扇区编程代码段的起点erasepart。程序于sram中的erasepart起点开始执行,按照sst39vf160扇区擦除的时序要求开始擦除。按照arm公司提出的atpcs规定,c语言程序调用汇编程序时,寄存器r0-r3传递参数,返回值由寄存器r0传递原则,扇区擦除程序的一个参数,要擦除的扇区号,由r0传递;返回参数置于r0,扇区擦除成功返回"1",否则返回"0"。

2.3 字编程

程序于sram中的programpart起点开始执行,按照sst39vf160字编程的时序要求开始编程。入口参数有三个,一次为编程地址、数据起始地址、编程数据长度。字编程成功返回"1",否则返回"0"。

(编制注:擦除和编程程序见本刊网站www.mesnet.com.cn。)

3.结论

在嵌入式应用系统中,iap是极为有效的一种技术。根据本文提出的方案,在实际应用中只需针对选用的flash,更改特定的擦、写操作代码就可实现系统片外存储器的在应用编程。本文提出的iap代码重入到sram执行的方法,有效地解决了应用无片内程序存储器的32位arm处理器的嵌入式系统iap难题,有很大的应用价值。

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关键词:存储器

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