适用于宽电源电压幅度的高精度双极带隙基准电路

　　设计并实现了一种bipolar工艺下的高精度带隙基准电路，通过Hspice验证，具有2.28×10-6 K-1的温度系数，在△V=10V的宽电源电压幅度范围作用下，具有1.2mV/V电源抑制特性及直流PSRR=79dB的高电源抑制比。

　　引言

　　电压基准广泛地应用在模拟电路中，在A/D、D/A的集成电路设计中，也需要基准来确定其输入或输出的全程范围。随着电路系统的不断复杂化，对基准源的要求也越来越高。尽管MOS器件的许多参数已被考虑用于基准产生，但双极电路，因其晶体管的特征参数具有最好的重复性，并能提供正温度系数和负温度系数的、严格定义的量，形成了此类电路的核心。由于基准源的精度与温度有关，提高精度必须降低温度系数。因此本文采用温度补偿及负反馈的方法，大大的降低了基准电压的温度系数，并且在宽电源电压幅度范围作用下，使其仍具有很好的电源抑制特性和很高的电源抑制比PSRR（Power-Supply RejectiON Ratio）。

　　带隙基准源原理

　　基准是直流量，它与电源的关系很小，与温度和工艺有一定的关系。由于基准源的精度与温度有关，提高精度必须降低温度系数。采用温度补偿的方法，即在温度区域内找到一点，使得基准源的输出在该点的温度导数为零，只要此点选取合适，就能获得较小的温度系数。

　　图1为带隙基准源的原理示意图。

　　图1 带隙基准源的原理示意图

　　利用热电压VT的正温度系数与双极型晶体管B、E结电压VBE的负温度系数相互补偿，以减小温度漂移。其中VBE的温度系数在室温时大约为-2mV/°C。而热电压VT=KT/q，其温度系数在室温时大约为+0.086mV/°C。将电压VT乘以常数K以后与电压VBE相加，便可得输出电压VREF为：

　　将式（1）两端同时对温度T求微分，并将VBE和VT的温度系数值代入，令等式值为零，就可求得K的值，它使得带隙基准电压的温度系数值在理论上为零。由于VT与电源值无关，而VBE受电源变化的影响极小，故VREF受电源的影响也很小。

　　高精度带隙基准电路

　　等效电路结构与分析

　　图2为文本文介绍的一种双极带隙基准电路的等效电路图。

　　图2 带隙基准电路的等效电路图

　　此带隙基准电路基本工作原理是通过负反馈，保证稳定的输出电压。在电路中，双极型晶体管Q2提供发射极偏压为VBE，由取样电阻R2上的电压mVREF产生了nVT，其中n/m=K。由以上分析知，选择适当K，可使两个电压的温度漂移相互抵消，即令：

　　其中：?????

　　将式（3）、（4）代入式（2），有：

　　即理论值K≈26.23，从而由式（1）得到了在某一温度下温度系数为零的基准电压。当然由于不同工艺下的VBE的负温度系数有很大的差别，K的实际值略有不同。

　　此电路中的运放与常规运放的不同之处在于其输入差分对尺寸不同，故亦可理解成为加入一失调电压。当电阻R2上的电压等于此失调电压时，运放处于平衡状态。当输出电压增加时，R2上的电压增加，差分信号增大，运放输出电压升高，输出电流减小以抑制输出电压的上升；同时，当输出电压减小时，差分信号减小，运放输出电压降低，输出电流增大以抑制输出电压的下降，从而达到稳定输出电压的目的。下文将作对此详细讨论。

　　实际电路结构与分析

　　图3为本文介绍的双极带隙基准电路的实际电路图。

　　图3 高精度带隙基准电路的实际电路图

　　基准源中的运放AREF由四级组成，输入级为差分对输入，经过两级射随后，最后经过一级反向放大输出。晶体管Q7、Q8、Q9构成威尔逊电流源，作为差分对的有源负载，同时完成双端输入到单端输出的转换。威尔逊电流源具有大的动态内阻，并且输出电流受β的影响也大大减小，在设计中选用它使基准电压的温度系数有了极大改善。

　　下面以电流关系来阐述此电路补偿原理。在图3中，用ixn表示电流，当x为C、B、E时，表示流经三极管Qn的集电极、基极、发射极的电流；当x为R时，表示流经电阻Rn的电流。通过分析可以得到：

　　其中i B4、i E5 、i R4为定值，即i C6与i R5、i C4与i B1同方向变化。当该电路处于平衡态时，i C5也为定值，继而有：i B4 → i R4 → i B1 → i C1皆为定值