国内LED关键设备MOCVD如何实现“弯道超越”

　　5月7日，第十三届全国MOCVD学术会议在半导体照明产业重要基地——江苏省扬州市召开。来自大陆和台湾、香港两地的500多名科研院所和国家“千人计划”的专家与企业家，共同就我国MOCVD(金属有机化合物化学气相淀积，是金属有机化学气相沉积外延片炉，用于生产LED芯片)行业技术创新、市场应用、发展现状以及未来趋势等进行深入研讨，并集中发布一批最新科技成果。

　　从此次会议上了解到，我国半导体照明产业自列入“十一五”中长期发展规划以来，在国家和地方政策的重点扶持下，通过政产学研合作途径，加大技术创新力度，攻克了一些关键性技术难题，LED产业快速向上衍生，应用与封装发展水平与国外基本持平。尤其是上游原材料以及MOCVD设备更是迎头赶上，用于照明用的大功率的特性衬底技术，加工稳定性以及对外延效率与国外相比，差距快速缩小。同时，外延片的亮度、内量子效率、抗静电能力、抗漏电能力以及品质控制水平等，与国外知名企业的产品差距不大。目前，红黄光LED、显示用LED外延已非常成熟，照明用LED外延技术也已经达到较高水平。到去年底，从MOCVD技术发展来看，关键技术产品替代进口达75%左右。专家认为，尽管我国MOCVD已形成一个高科技产业，但我国整体与国外仍有明显差距，核心技术还依靠进口，急需重点突破，我国才能够实现“弯道超越”。