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突破细微化极限!东芝携手海力士研发纳米压印技术

作者: 时间:2015-02-09 来源:精实新闻 收藏

  全球第2大NAND型快闪存储器 (Flash Memory)厂商( Toshiba )5日发布新闻稿宣布,为加快次世代半导体露光技术「纳米压印技术(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研发脚步,已和南韩半导体大厂SK(SK Hynix )正式签署契约,双方技术人员将自2015年4月起透过横滨事业所携手研发NIL制程的关键技术,目标为在2017年实用化。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/269632.htm

于去年12月和SK(SK Hynix)就NAND Flash侵权案一事达成和解,(Hynix)除同意支付东芝2.78亿美元(约330亿日圆)和解金外,双方当时也宣布将携手研发被称为「纳米压印(Nanoimprint)」的次世代半导体露光技术。

  据日经新闻指出,东芝已于2014年开始量产全球最先端的15nm NAND Flash产品,而就现行技术来看,15nm被视为是存储器电路线幅细微化的极限,而东芝期望借由研发NIL技术、突破细微化极限,让已逼近极限的电路线幅能进一步细微化,以借此提高产品性能及成本竞争力。

  日经指出,东芝目前已和Canon携手研发NIL制造设备,而东芝和SK 海力士(SK Hynix)于NIL制程技术的研发成果也将回馈至制造设备的研发上。

  另据日刊工业新闻指出,东芝期望藉由NIF技术的实用化来降低3D NAND Flash的成本。



关键词:东芝海力士

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