联华电子採用晶圆专工业界第一个0.11微米eFlash製程，量产触控IC

联华电子今日(22日)宣佈已採用0.11微米eFlash製程量产触控IC应用产品。此特殊技术最初于2012年底于联华电子推出，是为晶圆专工业界第一个结合12V与纯铝后段(BEoL)製程，以因应次世代触控控制器及物联网应用产品的需求。在整合更高密度嵌入式快闪记忆体与SRAM，以便用于各尺寸触控萤幕产品的微控制器时，0.11微米製程可提供比0.18微米製程更小更快的逻辑元件，并可达到更高效能。

联华电子市场行销处资深处长黄克勤表示：「触控面板已是今日电子产品主流的操作介面。联华电子触控平台解决方案其中一项重要特点，就是我们的0.11微米eFlash解决方案，包含了可提供晶片设计公司的专有快闪记忆体macro设计服务。并藉由结合铝后段製程来提供最佳成本效益，服务高度竞争的触控IC市场。此外，就如本公司0.18微米eFlash製程一样，12V可满足今日更大尺寸触控萤幕，与浏览网页时在触控萤幕上悬浮触控(hover)应用的高信噪比需求。」

　　联华电子0.11微米触控IC平台与现今广泛採用的3.3V解决方案相比，信噪比可改善超过三倍，可驱动晶片设计公司创造新世代更先进的触控产品。联华电子拥有製造触控控制器IC的丰富经验，有超过30家生产中的触控客户，每月出货量逾4000万颗IC。0.11微米製程以8吋晶圆製造，并採用纯铝后段技术，使触控晶片设计公司能够享有更低的一次性工程费用与相关成本，以提高市场竞争力。联华电子同时提供自行研发的快闪记忆体硅智财，协助加速产品上市时程并促进客製化，以因应当今市场趋势。联华电子也开发极低漏电製程(uLL)，进一步降低元件与SRAM的核心电流达最高四倍。