美光对NAND Flash发布警告

　　全球NAND型闪存(Flash)大厂美光(Micron)近来针对全球NANDFlash市场未来发展发出警语表示，目前NANDFlash厂制程技术发展相当快速且先进，但微影技术无法跟上NAND Flash厂发展，尤其令人感到惊讶的是，微影设备商技术竟远落后NAND Flash大厂数年，几家NAND Flash厂商为于未来顺利发展，还必须领先微影设备商，自行开发一些相关技术。
　　近来全球各大DRAM厂为能有效运用旗下晶圆厂，加上NAND Flash市场成长率远高于标准型DRAM，促使多家DRAM大厂纷投入NAND Flash市场，就连台系DRAM厂力晶及茂德，也相继宣布将投入NAND Flash市场研发及制造行列，其中，力晶更是大张旗鼓地投入兴建12吋厂，希望能赶上新一波内存需求潮。

　　不过，正当DRAM大厂纷投入NAND Flash市场，美光却提出警语，美光NAND Flash发展事业群副总裁Frankie Roohparvar表示，目前NAND Flash发展所遇到最大瓶颈在于微影技术，事实上，微影技术已远落后NAND Flash技术至少好几年。目前微影技术设备供货商完全跟不上NAND Flash厂商技术，NAND Flash厂已领导半导体业界制程技术。

　　美光表示，现在其于50奈米制程技术，甚至在扫瞄机发展前便已完全准备好，美光必须先将微影技术给准备好，才有助于美光在50奈米制程技术顺利发展。目前193奈米浸润式扫瞄机到了45奈米制程可能已无法使用，至于下世代浸润式扫瞄机，预计将可使用到32奈米制程。

　　多家DRAM厂指出，做NAND Flash困难度确实较标准型DRAM要难上许多。NAND Flash发展不仅在微影技术上将出现瓶颈，过去采用NAND Flash架构到45奈米制程以下时，便会遭遇到一些物理极限限制，因而发明SONOS架构技术，使DATA Flash到45奈米制程以下时，依然可继续走下去。

　　目前全球各大DATA Flash厂无不想尽办法，希望能不断改良SONOS架构，使其早日顺利量产商业化。不过，SONOS仍有瓶颈待克服，最快要到2008年才会见到类似SONOS架构的TANOS产品量产。TANOS结构系由钽金属、氧化铝(高K材料)、氮化物、氧化物和硅晶层所组成，TANOS结构采用，也象征产业界首次将金属层和高K材料结合应用于NAND设备中。

　　由于各大半导体厂已体认到，若不采用SONOS架构，应无法再将DATA Flash带进下一世代，因此，包括飞思卡尔(Freescale)、赛普拉斯(Cypress)等大厂，均开始积极投入研发。