RAMTRON的F-RAM存储器荣获《电子设计技术》EDN CHINA创新奖

　　非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布荣获业界知名的《电子设计技术》杂志EDN China颁发2007年度创新奖之优秀产品奖。Ramtron的FM22L16产品是半导体行业首款4兆位 (Mb) 非易失性F-RAM存储器，获评委会及数以千计《电子设计技术》的读者选为数据IC与可编程逻辑类别的优秀产品。

　　Ramtron亚太区域总监徐梦岚称：“我们非常高兴获得业界知名的《电子设计技术》杂志颁发的奖项。对于产品得到中国电子设计团体的认同，我们深感荣幸。这款4兆位F-RAM实现了技术的突破，将引领Ramtron与F-RAM进入新的创新应用中。中国设计工程师对FM22L16所作的投票，足以证明该产品的技术成果已获得公认。”

　　入围产品由《电子设计技术》的专家评审小组选出，该小组由来自中国各大OEM厂商、学术机构、高校及《电子设计技术》编辑部的业界专家和专业人士组成。而《电子设计技术》的读者参与投票选出得奖的产品。