ARM制成45nm SOI测试芯片 功耗降低40% 作者: 时间:2009-10-12 来源:电子产品世界 收藏 据ARM的研究人员的报道,公司制成的45nmSOI测试芯片和普通相同尺寸工艺相比,功耗可减少40%。该结果在近期的IEEESOIConference上发表。本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/98763.htm
评论