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PCM
2009-06-25cuipeng
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相变存储器（phase change memory）,简称PCM，利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的。 初次听到"相变"这个词,很多读者朋友会感到比较陌生.其实,相(phase)是物理化学上的一个概念,它指的是物体的化学性质完全相同,但是物理性质发生变化的不同状态.例如水有三种不同的状态,水蒸气(汽相)，液态水（液相）以及固态水（固相）。物质从一种相变成另外一种相的过程叫做
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EEPW
2009-06-08jackwang
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由著名的美国IDG集团和中国科技信息研究所共同创办的《电子产品世界》是一本在中国积累了十四年成功媒体运作经验的一流电子杂志。每个月中国电子业的近十万工程师从《电子产品世界》上得到了丰富、及时、全面的电子技术和市场等方面的信息，他们有很多人甚至从大学时期开始就受到《电子产品世界》杂志的积极影响，在日后的工作中《电子产品世界》成为他们不可或缺的重要信息来源。 《电子产品世界》服务于中国电子业界的广
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sandisk
2009-06-05sylar
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公司介绍Top SanDisk 公司是全球最大的闪速数据存储卡产品供应商。该公司由非易失性存储技术领域的国际权威Harari Eli博士在1988年创立。1995年11月，SanDisk成为了一家公开上市的公司，其纳斯达克股票代码为SNDK。2004年，SanDisk公司收入达到18亿美元。目前，公司在全球范围内拥有超过3000名雇员。公司总部设在美国加利福尼亚州的苗必达市。SanDisk的产品
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NOR
2008-04-03yue411
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NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可
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NAND
2008-04-03yue411
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一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR. 简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很
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FLASH
2008-04-03yue411
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闪存（Flash ROM）： 是一种电擦除非易失型存储器，由浮栅型场效应管构成，写入时，利用热电子注入，使浮栅带电；擦除时，则利用高压下的隧道效应，使浮栅失去电子。 FLASH闪存是半导体技术，内部是相对静态的，体积小，抗震性很高（便于携带）。加上半导体技术发展很快，价格下降也很快，这是目前的MP3大多数是用FLASH闪存的原因。
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