器件名称:
BSM100GB60DLC
功能描述:
IGBT-Modules
文件大小:
101.93KB 共9页
简 介:
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 100 GB 60 DLC Hchstzulssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tP= 1ms Tc= 70°C Tc= 25°C tP= 1ms, Tc= 70°C VCES IC,nom. IC ICRM 600 100 130 200 V A A A Tc= 25°C, Transistor Ptot 445 W VGES +/- 20V V IF 100 A IFRM 200 A VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C I2t 1.250 A2s RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sttigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Eingangskapazitt input capacitance Rückwirkungskapazitt reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125°C VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C IC= 100A, VGE= 15V, Tvj= 25°C IC= 100A, VGE= 15V, Tvj= 125°C IC= 1,5mA, V……
