器件名称:
BSM100GP60
功能描述:
Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
文件大小:
211.96KB 共12页
简 介:
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM100GP60 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlastrom Grenzeffektivwert RMS forward current per chip Dauergleichstrom DC forward current Stostrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I t - value 2 VRRM I FRMSM TC = 80°C tP = 10 ms, Tvj = tP = 10 ms, Tvj = 25°C 25°C Id I FSM I t 2 1600 80 100 700 570 2450 1620 V A A A A As As 2 2 tP = 10 ms, Tvj = 150°C tP = 10 ms, Tvj = 150°C Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I 2t - value Tc = 70 °C tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C IF I FRM I 2t 100 200 2.300 A A A2s Tc = 70 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 25°C TC = 70 °C VCES I C,nom. IC I CRM Ptot VGES 600 100 135 200 420 +/- 20V V A A A W V Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector curren……
