器件名称:
BSM10GP60
功能描述:
IGBT-Module
文件大小:
106.11KB 共11页
简 介:
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM10GP60 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlastrom Grenzeffektivwert RMS forward current per chip Dauergleichstrom DC forward current Stostrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I t - value 2 VRRM IFRMSM TC = 80°C tP = 10 ms, T vj = tP = 10 ms, T vj = 25°C 25°C Id IFSM 2 It 1600 40 10 300 230 450 260 V A A A A A2s As 2 tP = 10 ms, T vj = 150°C tP = 10 ms, T vj = 150°C Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral 2 I t - value Tc = 80 °C tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C IF IFRM 2 It VCES Tc = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 25°C T C = 80 °C IC,nom. IC ICRM Ptot VGES 600 10 20 20 80 +/- 20V V A A A W V 10 20 50 A A A2s Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodi……
