器件名称:
BSM150GB170DLC
功能描述:
IGBT-Modules
文件大小:
83.15KB 共8页
简 介:
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GB 170 DLC Hchstzulssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tp = 1 ms TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1700 150 300 300 V A A A TC=25°C, Transistor Ptot 1250 W VGES +/- 20V V IF 150 A IFRM 300 A VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C 2 It 4.500 A2s RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 3,4 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sttigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitt input capacitance Rückwirkungskapazitt reverse transfer capacitance IC = 150A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 150A, VGE = 15V, Tvj = 125°C IC = 7mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat min. 4,5 typ. 2,6 3,1 5,5 max. 3,2 3,6 6,5 V V V VGE = -15V ... +15V QG - 1,8 - C f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies - 10 - nF f = 1MHz……
