器件名称:
BSM15GP120
功能描述:
IGBT-Modules
文件大小:
199.42KB 共11页
简 介:
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM15GP120 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlastrom Grenzeffektivwert RMS forward current per chip Dauergleichstrom DC forward current Stostrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I t - value 2 VRRM I FRMSM TC = 80°C tP = 10 ms, Tvj = tP = 10 ms, Tvj = 25°C 25°C Id I FSM I t 2 1600 40 15 300 230 450 260 V A A A A As As 2 2 tP = 10 ms, Tvj = 150°C tP = 10 ms, Tvj = 150°C Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I 2t - value Tc = 80 °C tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C IF I FRM I 2t 15 30 125 A A A2s Tc = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 25°C TC = 80 °C VCES I C,nom. IC I CRM Ptot VGES 1200 15 35 30 180 +/- 20V V A A A W V Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodi……
