器件名称:
BSM200GB170DLC
功能描述:
Technical Information
文件大小:
81.34KB 共8页
简 介:
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 170 DLC Hchstzulssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tp = 1 ms TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC=80°C I I VCES C,nom. 1700 200 400 400 V A A A I C CRM TC=25°C, Transistor P tot 1660 W VGES +/- 20V V IF 200 A IFRM 400 A VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C 2 It 11.000 A2s RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 3,4 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sttigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitt input capacitance Rückwirkungskapazitt reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 25° C C IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 125° IC = 9mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C V GE(th) min. V CE sat typ. 2,6 3,1 5,5 max. 3,2 ……
