器件名称:
BSM200GD60DLC
功能描述:
IGBT-Module
文件大小:
108.63KB 共9页
简 介:
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GD 60 DLC Hchstzulssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tP= 1ms TC= 45°C TC= 25°C tP= 1ms, TC= 45°C VCES IC,nom. IC ICRM 600 200 226 400 V A A A TC= 25°C, Transistor Ptot 700 W VGES +/- 20V V IF 200 A IFRM 400 A VR= 0V, tp= 10ms, TVj= 125°C I2t 8.450 A2s RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sttigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Eingangskapazitt input capacitance Rückwirkungskapazitt reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C IC= 4,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C VCE sat min. VGE(th) 4,5 typ. 1,95 2,20 5,5 max. 2,45 6,5 V V V f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Ci……
