器件名称: BSM400GA120DLC
功能描述: IGBT-Modules
文件大小: 81.93KB 共8页
简 介:Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM400GA120DLC
vorlufige Daten preliminary data
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tP = 1 ms TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1200 400 625 800 V A A A
TC=25°C, Transistor
Ptot
2500
W
VGES
+/- 20V
V
IF
400
A
IFRM
800
A
VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C
2 I t
27,4
kA2s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitt input capacitance Rückwirkungskapazitt reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 400A, V GE = 15V, Tvj = 25°C IC = 400A, V GE = 15V, Tvj = 125°C IC = 16mA, V CE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat
min.
4,……
