器件名称: BSM400GA170DLC
功能描述: IGBT-Modules
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简 介:Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 400 GA 170 DLC
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tp = 1 ms TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC=80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1700 400 800 800 V A A A
TC=25°C, Transistor
Ptot
3120
W
VGES
+/- 20V
V
IF
400
A
IFRM
800
A
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
2 It
45.000
A2s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
3,4
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitt input capacitance Rückwirkungskapazitt reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 400A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 400A, VGE = 15V, Tvj = 125°C IC = 18mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat
min.
4,5
typ.
2,6 3,1 5,5
max.
3,2 3,6 6,5 V……
