器件名称:
BSM50GD120DLC
功能描述:
Technische Information / Technical Information
文件大小:
94.44KB 共8页
简 介:
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM50GD120DLC Hchstzulssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tP = 1 ms TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1200 50 85 100 V A A A TC=25°C, Transistor Ptot 350 W VGES +/- 20V V IF 50 A IFRM 100 A VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C 2 I t 430 A2 s RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sttigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitt input capacitance Rückwirkungskapazitt reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 50A, V GE = 15V, Tvj = 25°C IC = 50A, V GE = 15V, Tvj = 125°C IC = 2mA, V CE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat min. 4,5 typ. 2,1 2,4 5,5 max. 2,6 2,9 6,5 V V ……
