器件名称:
FS150R12KE3
功能描述:
IGBT-Module
文件大小:
159.65KB 共8页
简 介:
Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS150R12KE3 vorlufige Daten preliminary data Hchstzulssige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral It value Isolations Prüfspannung insulation test voltage tp= 1ms Tc= 80°C Tc= 25°C tp= 1ms, Tc= 80°C VCES IC, nom IC ICRM 1200 150 200 300 V A A A Tc= 25°C Ptot 700 W VGES +/- 20 V IF 150 A IFRM 300 A VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C It 4,56 kAs RMS, f= 50Hz, t= 1min VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sttigungsspannung collector emitter satration voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitt input capacitance Rückwirkungskapazitt reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom VCE= VGE, Tvj= 25°C, IC= 6mA VCEsat min. 5 typ. 1,7 2 5,8 max. 2,1 t.b.d. 6,5 V V V VGE(th) VGE=……
