器件名称:
FS50R06YL4
功能描述:
IGBT-Module
文件大小:
208.35KB 共10页
简 介:
Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS50R06YL4 vorlufige Daten preliminary data Hchstzulssige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral It value Isolations Prüfspannung insulation test voltage tp= 1ms VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C RMS, f= 50Hz, t= 1min Tvj= 25°C Tc= 55°C Tc= 25°C tp= 1ms, Tc= 55°C Tc= 25°C, Transistor VCES IC,nom. IC ICRM Ptot VGES IF IFRM It VISOL 600 50 55 100 V A A A 202 W +20 V 50 A 100 A 630 As 2,5 kV Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sttigungsspannung collector emitter saturation voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitt input capacitance Rückwirkungskapazitt reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom VCE= VGE, Tvj= 25°C, IC= 1mA VGE= -15V...+15V f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V f= 1MHz, T……
