器件名称:
FZ1200R17KF6B2
功能描述:
Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
文件大小:
90.56KB 共8页
简 介:
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1200 R 17 KF6 B2 Hchstzulssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tp = 1 ms TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1700 1200 2400 2400 V A A A TC=25°C, Transistor Ptot 9,6 kW VGES +/- 20V V IF 1200 A IFRM 2400 A VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C 2 I t 440 kA2s RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 4 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sttigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitt input capacitance Rückwirkungskapazitt reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 1200A, V GE = 15V, Tvj = 25°C IC = 1200A, V GE = 15V, Tvj = 125°C IC = 80mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) 4,5 VCE sat min. typ. 2,6 3,1 5,5 max.……