器件名称:
FZ1200R33KL2
功能描述:
Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
文件大小:
164.99KB 共9页
简 介:
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 1200 R 33 KL2 vorlufiges Datenblatt preliminary datasheet Hchstzulssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Spitzenverlustleistung der Diode maximum power dissipation diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Teilentladungs-Aussetzspannung partial discharge extinction voltage tP = 1 ms T j = 25°C T j = -25°C T C = 80°C T C = 25 °C tP = 1 ms, T C = 80°C VCES 3300 3300 1200 2300 2400 V IC,nom. IC ICRM A A A T C=25°C, Transistor Ptot 14,7 kW VGES +/- 20V V IF 1200 A IFRM 2400 A VR = 0V, tp = 10ms, T Vj = 125°C I2t 440.000 A2s T j = 125°C PRQM 1.500 kW RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 6.000 V RMS, f = 50 Hz, QPD 10 pC (acc. to IEC 1287) VISOL 2.600 V Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sttigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Eingangskapazitt input capacitance Rückwirkungskapazitt reverse transfer……
