器件名称:
FZ1600R12KE3
功能描述:
IGBT-Module
文件大小:
176.3KB 共9页
简 介:
Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1600R12KE3 vorlufige Daten preliminary data Hchstzulssige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral It value Isolations Prüfspannung insulation test voltage tp= 1ms VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C Tvj= 25°C Tc= 80°C Tc= 25°C tp= 1ms, Tc= 80°C Tc= 25°C;Transistor VCES IC, nom IC ICRM Ptot VGES IF IFRM 1200 1600 2300 3200 V A A A 7,8 kW +/- 20 V 1600 A 3200 A It 300 k As RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sttigungsspannung collector emitter satration voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitt input capacitance Rückwirkungskapazitt reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current IC= 1600A, VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= 1600A, VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= 64mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C, VGE= -15V...+15V;VCE= ...V f= 1MHz, Tvj= 25°……
