器件名称:
FZ600R65KF1
功能描述:
IGBT-Module
文件大小:
179.6KB 共10页
简 介:
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 600 R 65 KF1 Hchstzulssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Teilentladungs Aussetzspannung partial discharge extinction voltage tP = 1 ms Tvj=125°C Tvj=25°C Tvj=-40°C TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, T C = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 6500 6300 5800 600 1200 1200 V A A A TC=25°C, Transistor Ptot 11,4 kW VGES +/- 20V V IF 600 A IFRM 1200 A VR = 0V, tp = 10ms, T Vj = 125°C I2t 165 k A2s RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 10,2 kV RMS, f = 50 Hz, QPD typ. 10pC (acc. To IEC 1287) VISOL 5,1 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sttigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitt input capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 600A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC……
