器件名称:
FB15R06KL4B1
功能描述:
1GBT-Module
文件大小:
286.57KB 共13页
简 介:
Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FB15R06KL4B1 Vorlufig preliminary Elektrische Eigenschaften / electrical properties Hchstzulssige Werte / maximum rated values Diode Gleichrichter/ diode rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlastrom Grenzeffektivwert pro Chip RMS forward current per chip Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output Stostrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I t - value 2 Tvj =25°C TC =80°C TC =80°C tP = 10 ms, T vj = tP = 10 ms, T vj = 25°C 25°C VRRM IFRMSM IRMSmax IFSM It 2 800 V 58 50 448 358 1000 642 A A A A As As 2 2 tP = 10 ms, T vj = 150°C tP = 10 ms, T vj = 150°C Transistor Wechselrichter/ transistor inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ diode inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral 2 I t - value tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C IF IFRM It 2 Tvj =25°C TC =65°C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 25°C T C =65°C VCES IC,nom. IC ICRM Ptot VGES 600 15 19 30 60 +/- 20V V A A A W V 15 30 25 A A As 2 Transistor Brems-Chopper/ transistor brake-chopper Kollektor-E……
