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海力士:2010年DRAM供不应求

作者: 时间:2009-12-25 来源:DigiTimes 收藏

  据华尔街日报(WSJ)报导,韩国半导体大厂海力士()看好2010年市场表现,将提升资本支出并扩张产能。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/102043.htm

  海力士执行长金钟甲(Jong-Kap Kim)表示,2009年12月为第1次DRAM合约价在11月后并未下滑,此外,预期2010年全球个人计算机(PC)市场需求将增加10%、全球DRAM芯片将缺货,半导体市场已走出过去3年的谷底,前景相当稳定。

  随著景气逐渐回升,海力士计划2010年提升资本支出,共投资2.3兆韩元(约20亿美元)提升技术水平,及扩张目前的Flash芯片产能。此外,金钟甲表示,2010年海力士在全球DRAM及Flash芯片市场市占率均可望些微提升,然不愿透露具体数字。



关键词:Hynix存储器NAND

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