新闻中心

EEPW首页>电源与新能源>设计应用> 设计更高能效、极低EMI准谐振适配器

设计更高能效、极低EMI准谐振适配器

作者: 时间:2010-04-15 来源:电子产品世界 收藏

  另外,通过改进电路,还能进一步提升能效及降低能耗。例如,在极低输出负载时,可以采用特殊电路来移除TL431偏置抑制电路,从而降低持续消耗功率的启动电阻的能耗。另外,在轻载时结合移除TL431和NCP4302偏置抑制电路,还可进一步提升能效,使典型负载条件下的平均能效增加至高于89%,而空载条件下的能耗也大幅降低,其中115 Vrms时为62 mW,而230 Vrms时为107 mW。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/108007.htm

  总结:

  本文探讨了准谐振转换器的基本特点、存在的问题及不同的解决方法,介绍了基于带谷底锁定准谐振和VCO两种工作模式的最新准谐振控制器NCP1379和NCP1380的工作原理及关键保护特性,并简要分析了其应用设计过程。测试结果显示,这两款准谐振控制器能用于设计更高工作能效和极低待机能耗的准谐振适配器,满足相关能效标准的要求。值得一提的是,优化电路后还能进一步提升能效及降低能耗,有助于满足更严格能效标准要求。

  供稿:半导体

  参考资料:

  1、NCP1380数据表,www.onsemi.com/pub/Collateral/NCP1380-D.PDF,半导体

  2、设计笔记:Designing a Quasi-Resonant Adaptor Driven by the NCP1380,www.onsemi.com/pub/Collateral/AND8431-D.PDF,半导体

  3、培训教程:Design of a QR Adapter with Improved Efficiency and Low Standby Power,www.onsemi.cn/pub_link/Collateral/TND377-D.PDF,安森美半导体


上一页 1 2 3 4 5 下一页

评论


相关推荐

技术专区

关闭