2013 年前使用忆阻器的记忆装置将上市

　　HP 关于忆阻器的发现在 2008 年时发表于「自然」期刊，2009 年证明了 Cross Latch 的系统很容易就能堆栈，形成立体的内存。目前的技术每个电线间的「开关」大约是 3nm x 3nm 大，开关切换的时间约在 1ns 左右，整体的运作速度约是 DRAM 的 1/10 -- 还不足以取代 DRAM，但是靠着 1 cm? 100 gigabit， 1cm? 1 petabit(别忘了它是可以堆栈的)的惊人潜在容量，干掉闪存是绰绰有余的。

　　但是 Crossbar Latch 可不止用来储存数据而已。它的网格状设计，和每个交叉点间都有开关，意味着整组网格在某些程度上是可以逻辑化的。在原始的 Crossbar Latch 论文中就已经提到了如何用网格来模拟 AND、OR 和 NOT 三大逻辑闸，几个网格的组合甚至可以做出加法之类的运算。这为摆脱晶体管进到下一个世代开了一扇窗，很多人认为忆阻器电脑相对于晶体管的跃进，和晶体管相对于真空管的跃进是一样大的。另一方面，也有人在讨论电路自已实时调整自已的状态来符合运算需求的可能性。这点，再搭配上忆阻器的记忆能力，代表着运算电路和记忆电路将可同时共存，而且随需要调整。这已经完全超出了这一代电脑的设计逻辑，可以朝这条路发展下去的话，或许代表着新一代的智慧机器人的诞生。

　　不过这些都是未来的事了。HP 的目标订的还算含蓄，只答应在 2013 年时，生产出与当世代的 Flash 同等价格，但两倍容量的忆阻器记忆装置。对大部份人来说，这个转变会是相当低调的 -- 就像芯片制程已经一步步地降到了 24nm，但是对一般人来说，CPU 或是内存、随身碟一直都长那个样子，没有在变。只是在里面，忆阻器和 Crossbar Latch 的组合代表的是电脑科技的全新进展，或许能让我们再一次延续摩尔定律的生命，朝向被机器人统治的未来前进。