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美国发明辉钼忆阻器 或将改变未来半导体领域方向

作者: 时间:2016-02-16 来源:金融界 收藏

  据美国科学学术网3日报道,美科学家最近使用辉钼制成了辉钼基柔性,可以用其制造低功耗的超高速存储与计算芯片,科学学术网认为这一发明很可能让芯片世界从“硅时代”跨越到“辉钼时代”。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/201602/286959.htm



关键词:半导体忆阻器

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