三星35纳米4Q出击 台DRAM厂以卵击石
三星电子(Samsung Electronics)制程微缩持续踩油门,继46纳米制程大量供货,下世代35纳米制程将在第4季试产,目标2010年底占总产能达10%,由于从35纳米跳到46纳米估计成本可再下降30%,届时台、韩DRAM之战将形成以卵击石,加上台厂新产能大量产出时间点亦多落在第4季,面对产能将大量开出,近期DRAM价格跌不停,特别是DDR3 eTT已传出通路商价格杀至1.7美元,较同容量DDR2价格还要低。
本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/112893.htm近期DRAM合约价及现货价均呈现极度疲软,尤其在传统旺季是相当少见情况,甚至有点呼应三星日前所提出DRAM产业将供过于求论调,台、美、日DRAM业者气势都相当疲弱,似乎对于三星频出招重击动作毫无招架之力。DRAM业者表示,三星提出到2011年第1季以前都供过于求论调,其实有迹可循,除第3季PC旺季不旺,第4季能见度不佳,三星最新一代35纳米制程即将问世,更是DRAM产业重要杀手,业界都相当担心三星推出35纳米制程后,将再次展开大杀价。
DRAM业者指出,目前三星主力制程是46纳米,已比台厂快上1个世代,南亚科和华亚科50纳米才刚要量产,力晶和瑞晶还停留在63纳米,至于45纳米才刚要准备起跑,三星不仅在46纳米远远领先台厂,更计划第4季试产35纳米制程,目标是2010年底占总产能10%。
值得注意的是,三星35纳米制程比46纳米成本再下降30%,2Gb容量DDR3成本趋近1美元,下降速度相当惊人,2011年35纳米将成为三星主力制程,预计2011年第3季可超过总产出50%,届时南亚科和华亚科阵营即使是以42纳米与三星对打,力晶和瑞晶阵营以45纳米应战,都将是以卵击石。
存储器业者表示,9月DRAM合约价大跌近10%,让DRAM业者士气低落,部分因素是9月有季底作帐压力,大部分客户不愿拿货,造成价格反应较激烈,随著合约价下修,现货价亦难独撑大局,台面上DDR3 eTT价格虽还有2美元,但私下交易已跌破2美元,甚至传出已杀至1.7美元,第4季供给端杀手除三星35纳米问世,台厂制程微缩产能亦多数在第4季到 2011年第1季期间大量出货,对价格杀伤力不容小觑,要扭转颓势必须靠PC需求回笼。
台DRAM厂表示,当DRAM价格下修到某种程度,过去PC厂从4GB容量模块砍到2GB容量策略,或许会出现逆转,若搭载存储器主流容量能够以4GB起跳,配合PC出货量升温,大量消耗DRAM产能,将是挽救摇摇欲坠DRAM价格最健康方式。
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