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展讯手机芯片厂进入40纳米制程

—— 明年一月采用40纳米制程低耗电3G通讯基带晶片
作者: 时间:2010-12-23 来源:经济日报 收藏

  中国大陆IC设计厂展讯预定明年1月于北京发表,采用40纳米制程低耗电3G通讯基带晶片,成为大厂(Qualcomm)后,进入40纳米制程的厂。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/115679.htm

  市场亦传出,方面已与展讯就TD芯片展开合作,法人预估,和展讯的合作,未来对于台湾IC设计龙头联发科和生力军晨星应会带来一定程度的竞争压力。

  分析师认为,高通在布局3G的CDMA市场后,现正积极投入4G通讯技术,以LTE和中国大陆特有的TD-LTE技术为主,全力迎接明年的LTE元年;而透过和展讯的合作,可以补强在中国内需市场的3G和TD-SCDMA领域,两全齐美。分析师说,高通和展讯合攻TD-SCDMA,对于同样布局TD- SCDMA的联发科和晨星而言,会处于相对不利的位置。

  目前晨星已计划在明年上半年推出TD-SCDMA芯片,抢进3G市场;但联发科总经理谢清江曾于11月初的法说会上表示,明年3G市场成长重点将放在全球主流规格WCDMA,而非TD-SCDMA。

  展讯在美东时间19日晚间宣布,将在明年的1月19日于北京为旗下的40纳米制程低耗电3G通讯基带处理器,举办科技论坛,对外说明新产品的开发进度,并分享通讯IC设计的经验。上述科技论坛计画由展讯、中国半导体行业协会(CSIA)、海信通信、华为与沈阳新邮通信设备联合举办。

  今年在中国大陆2G和2.5G手机芯片市场成功抢占两成以上市占率,并步步进逼联发科的展讯,今年下半年不断对外发表三卡三待、四卡四待等新产品,积极抢进大陆以外的新兴市场。

  与联发科的竞争,亦由大陆进一步打到印度、南美等市场。受到持续推出新产品激励,展讯ADS在17日上涨3.81%,收18.00美元,创历史新高。

  除新产品布局外,市场传出,高通抢进中国大陆市场的合作对象也选定展讯,双方就高通着墨较少的TD晶片展开合作,共同发展CDMA和TD双模芯片,合作抢攻3G市场。

  就12月营运来看,受惠于中国大陆农历春节前拉货潮,联发科本月将迎接第四季的单月营收高点,出货量力拼5,000万颗水准,月营收规模挑战80亿元以上。



关键词:高通手机芯片

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